Образование - свободный электрон
Cтраница 4
Газообразные электроизоляционные материалы: воздух, шестифтористая сера ( элегаз), азот, водород и др. - при облучении ионизируются с образованием свободных электронов, причем из-за низкой плотности газа свободные ионы могут существовать длительно; в результате ион-молекулярных реакций могут образовываться ионы большей массы, чем масса исходных молекул, и появляться свободные атомы. [46]
При ионизации газон, таким образом, под действием какого-либо ионизатора происходит вырывание из электронной оболочки атома или молекулы одного или нескольких электронов, что приводит к образованию свободных электронов и положительных ионов. Электроны могут присоединяться к нейтральным молекулам и атомам, превращая их в отрицательные ионы. Следовательно, в ионизованном газе имеются положительные и отрицательные ионы и свободные электроны. Прохождение электрического тока через газы называется газовым разрядом. [47]
При ионизации газов, таким образом, под действием какого-либо ионизатора происходит вырывание из электронной оболочки атома или молекулы одного или нескольких электронов, что приводит к образованию свободных электронов и положительных ионов. Электроны могут присоединяться к нейтральным молекулам и атомам, превращая их в отрицательные ионы. Следовательно, в ионизованном газе имеются положительные и отрицательные ионы и свободные электроны. Прохождение электрического тока через газы называется газовым разрядом. [48]
При ионизации газов, таким образом, под действием какого-либо ионизатора происходит вырывание из электронной оболочки атома или молекулы одного или нескольких электронов, что приводит к образованию свободных электронов и положительных ионов. Электроны могут присоединяться к нейтральным молекулам и атомам, превращая их в отрицательные ионы. Следовательно, в ионизованном газе имеются положительные и отрицательные ионы и свободные электроны. Прохождение электрического тока через газы называется газовым разрядом. [49]
При освещении р - и-перехода, как показано на рис. 8 - 7, кванты лучистой энергии Av через полупрозрачный металлический электрод 1 попадают в тонкий слой 2 полупроводника м-типа, где их энергия затрачивается на образование свободных электронов и дырок. [51]
Близость локальных уровней к зоне проводимости приводит к тому, что уже при небольшом нагреве атомы примеси ионизируются, отдают дополнительный электрон, при этом число свободных электронов увеличивается. Образование свободных электронов при ионизации донорной примеси сопровождается появлением в узлах кристаллической решетки неподвижных положительных зарядов - ионов примеси. Обмен электронами между атомами примеси невозможен, так как атомы примеси удалены друг от друга и при комнатной температуре все ионизированы. Таким образом, ионизация атомов примеси не приводит к увеличению концентрации дырок, которые образуются только при разрыве связей между атомами полупроводника. Поэтому при введении донорной примеси концентрация свободных электронов оказывается значительно больше концентрации дырок и электропроводность определяется в основном электронами. В этом случае электроны называют основными носителями ( их концентрация обозначается пп), дырки - неосновными ( концентрация рп), а такой полупроводник называется полупроводником п-типа. Несмотря на преобладание в примесном полупроводнике подвижных носителей одного знака, полупроводник в целом электрически нейтрален, так как избыточный заряд подвижных носителей компенсируется зарядом неподвижных ионов примесей. [52]
Свободный электрон под действием внешнего электрического поля перемещается, обусловливая электронную проводимость. Образование свободного электрона приводит к нарушению двух-электронной связи и появлению свободного места, при этом атом имеет положительный заряд. Под действием внешних сил электрон соседней связи может занять появившееся свободное место - дырку. [53]
Примесную проводимость полупроводников рассмотрим на примере Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. Образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентной связи; следовательно, в отличие от случая, рассмотренного в § 242, дырка не возникает. Избыточный положительный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом примеси и поэтому перемещаться по решетке не может. [54]
Принцип действия используемых в оптронах фотоприемников основан на внутреннем фотоэффекте, заключающемся в отрыве электронов от атомов внутри кристаллического тела под действием электромагнитного ( оптического) излучения. Образование свободных электронов приводит к изменению электрических свойств облучаемого тела, а возникающие при этом фотоэлектрические явления используются на практике. Экспериментально установлено, что наиболее значительные фотоэлектрические явления имеют место в полупроводниках, в основном в беспримесных. Таким образом, в фотоприемнике происходит преобразование квантов света в энергию подвижных электрических зарядов, под действием которых на p - n - переходе возникает фото - ЭДС. [55]
Во всех современных электронных приборах используется возможность управления потоком свободных электронов, образующих электерический ток. Однако образование свободных электронов и управление ими в электронных лампах и полупроводниковых приборах происходит по-разному. Это связано в первую очередь с тем, что движение электронов в этих приборах происходит в различных рабочих объемах: в вакууме и в кристалле полупроводника. [56]
Катоды современных фотоэлементов делают из полупроводников. При этом образование свободных электронов, способных вылетать из катодов, идет во много раз интенсивнее, чем при использовании катодов из металлов. [58]
Этим было наглядно доказано образование свободных электронов вследствие фотоионизации воздуха излучением, получаемым при искровом разряде в воздухе. [59]
Страницы: 1 2 3 4