Образование - вторичный электрон
Cтраница 3
Из более детального рассмотрения вопроса следует, что если считать электроны в твердом теле идеальным электронным газом, как это делалось в гл. Значительное количество истинных вторичных электронов может образоваться только в том случае, если электроны в кристаллической решетке в какой-то степени связаны с ионами, ибо только р этом случае при образовании вторичного электрона может выполняться закон сохранения импульса. [31]
Возбуждение люминесценции электронной бомбардировкой имеет много общего с возбуждением ее коротковолновым светом и о-лучами. Механизм передачи энергии фосфору во всех трех случаях одинаков. В возбуждаемом материале возникают быстрые электроны, которые за счет неупругих столкновений порождают каскады новых электронов, пока энергия последних не станет достаточной для возбуждения. При образовании вторичных электронов в энергетическом спектре люминофора остается много дырок. Двигаясь по кристаллу, они рекомбинируют с электронами активатора, если уровни тех и других энергетически достаточно близки. Уровни активатора оказываются, таким образом, свободными и готовы для рекомбинации с возбужденным электроном. [32]
 |
Сечение цилиндрического счетчика. [33] |
Однако на концах счетчика иногда появляются искажения поля, которые могут вызывать уменьшение чувствительности. Чувствительность цилиндрического счетчика не всегда одинакова по всему его сечению. Так, например, из рис. 21 видно, что в трех указанных случаях пути - квантов в стенке счетчика имеют разную длину. Вследствие этого различны вероятности образования вторичных электронов ( в результате фотоэффекта, эффекта Комптона и эффекта образования пар); это означает, что во всех трех случаях счетчик имеет различную вероятность регистрации у-излучешя. [34]
Между анодом и фотокатодом подключают источник постоянного напряжения, значение которого составляет несколько сотен вольт или единиц киловольт в зависимости от числа динодов. Диноды подключают к делителю напряжения таким образом, чтобы напряжение между соседними электродами составляло 50 - 150 В. При облучении фотокатода световым потоком электроны, вылетевшие из катода, под воздействием ускоряющего электрического поля попадают на первый динод и, ударяясь о него, выбивают вторичные электроны. Вторичные электроны под воздействием ускоряющего электрического поля, созданного напряжением между первым и вторым динодами, достигают динода Д2 и выбивают из него новые вторичные электроны. Движение электронов от динода к диноду с образованием новых вторичных электронов происходит до тех пор, пока поток электронов не достигнет анода, вызывая появление тока / а ( рис. 4.24) в анодной цепи фотоэлектронного умножителя. [35]
На рис. 36 приведена схема типичного источника с поверхностной ионизацией. Функции пластин, коллимирующих и центрирующих луч, очевидны. Этот процесс является основным источником образования фоновых ионов в методе поверхностной ионизации. Они возникают следующим образом. Ионы с горячей нити ударяются о края коллимирующей щели и вызывают образование вторичных электронов и ионов. [36]
При прохождении частицы высокой энергии через вещество в результате ряда последовательных столкновений с молекулами среды происходит ступенчатая диссипация ее энергии. Скорость потери энергии частицы на единицу длины ее пробега, dE / dx, называют линейной передачей энергии ( ЛПЭ) или линейной тормозной способностью вещества. Так, например, при начальной энергии частиц порядка нескольких мегаэлектронвольт тормозная способность воды составляет для протонов единицы, для а-частиц - десятки, для тяжелых ионов - сотни элек-тронвольт на ангстрем, а для электронов - всего 0 02 эВ / А. Тормозная способность сильно зависит от энергии электронов. В воде, облучаемой электронами с энергией 1 МэВ, вторичные электроны с энергией в сотни эВ формируют только короткие треки, так как их ЛПЭ может достигать 1 эВ / А. На образование вторичных электронов расходуется значительная часть энергии излучения, поглощенной веществом. Ионизацию такого типа называют колонной. [37]
Страницы: 1 2 3