Образование - вторичный электрон
Cтраница 1
Образование вторичных электронов имеет место еще при действии достаточно короткого ультрафиолета. Вызываемая им люминесценция особенно близка к катодной, но полное отождествление их возможно лишь в случае очень короткого ультрафиолета. Число возникающих под действием мягкого ультрафиолета электронов недостаточно для объяснения всего эффекта. В результирующем свечении они должны рассматриваться только как фактор возбуждения, существенно дополняющий передачу энергии фотонами. [1]
Механизм образования вторичных электронов предполагает три этапа. Вначале первичный электрон ионизирует объект, вызывая появление вторичного электрона или возбуждение атома кристаллической решетки. Рожденные вторичные электроны двигаются от места возбуждения к поверхности объекта, отражаясь от решетки с результирующим импульсом, нормальным к поверхности. Третий этап заключается в выходе вторичных электронов наружу, если их энергия достаточна для преодоления потенциального барьера. Высокоэнергетические вторичные электроны могут вызвать появление на своем пути новых вторичных электронов. [2]
Регистрация уквантов связана с образованием вторичных электронов в газе и стенках камеры, поэтому ее эффективность в значительной степени зависит от объема камеры, материала стенок, вида и давления газа. [3]
 |
Схема строения сварочной душ. [4] |
В столбе ду и происходит образование вторичных электронов, а также положительных ионов. Электроны устремляются к аноду, поддерживая ионизацию в анодной области. Положительные ионы движутся к катоду, выбиваю. [5]
При воздействии у-лучей происходит ионизация макромолекул с образованием вторичных электронов. При нагреве, по мере повышения молекулярной подвижности происходит высвобождение электронов из ловушек и их рекомбинация с ионами. При этом образуются электронно-возбужденные молекулы, переход к-рых в основное состояние сопровождается интенсивным свечением, наблюдаемым в области темп-р 100 - 300 К. Свечение, связанное с др. процессами - рекомбинацией радикалов, окислением молекулярных продуктов радиолиза и др., на несколько порядков слабее. [6]
При воздействии у-лучей происходит ионизация макромолекул с образованием вторичных электронов. При нагреве, но мере повышения молекулярной подвижности происходит высвобождение электронов из ловушек и их рекомбинация с ионами. При этом образуются электронно-возбужденные м: олекулы, переход к-рых в основное состояние сопровождается интенсивным свечением, наблюдаемым в области темп-р 100 - 300 К. Свечение, связанное с др. процессами - рекомбинацией радикалов, окислением молекулярных продуктов радиолиза и др., на несколько порядков слабее. [7]
Обнаружение основано на взаимодействии у-изл Учения с кристаллом с образованием вторичных электронов, вызывающих люминесценцию. Три процесса, по которым может идти взаимодействие - излучения с веществом, рассматриваются в разделе 11.3. Кристалл располагается так же, как и при обнаружении электродов. [8]
 |
Схема процессов поглощения рентгеновского и у Излуче. [9] |
При прохождении рентгеновских и Лучей через вещество главным процессом является образование вторичных электронов, что: и служит причиной образования ионов. [10]
Следует отметить, что при воздействии Tf-квантов на твердое тело главным процессом является образование вторичных электронов. В этом смысле действие электронов ( ft - частицами) и - - квантов эквивалентно, а различия определяются лишь плотностью образовавшихся дефектов. Благодаря большей проникающей способности г - лучей возможно создание радиационных дефектов и в глубинных слоях катализаторов, в то время как - частицы оказывают более поверхностное воздействие. Различие в воздействиях jft - частиц и т - квантов обнаруживается при изучении влияния дозы облучения катализаторов на скорость гидрирования непредельных соединений, однако механизм активации контакта под влиянием указанных видов ионизирующего излучения один и тот же. [11]
 |
Массовые коэффициенты поглощения для различных процессов в случае воды. [12] |
Таким образом, при прохождении рентгеновских и - у-лучей через вещество главным процессом является образование вторичных электронов, которые и производят химическое действие. [13]
Такая зависимость а от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает, что образование вторичных электронов происходит в толще полупроводника; эффективным оказывается поверхностный слой толщиной в несколько десятков длин свободного пробега. Невидимому, вырываемые на этой глубине электроны получают значительную кинетическую энергию, которую постепенно теряют при ряде последовательных столкновений с тепловыми флуктуа-циями решетки или с другими неоднородностями. Такое предположение тем естественнее, что вероятная величина потери энергии при единичном столкновении соответствует одному фонону с энергией порядка нескольких сотых электроновольта. Электрон может испытать большое число столкновений и тем не менее сохранить еще энергию, необходимую для преодоления барьера. [14]
Такая зависимость с от толщины слоя полупроводника и от угла падения электронов доказывает, что образование вторичных электронов происходит в толще полупроводника; эффективным оказывается поверхностный слой толщиной в несколько десятков длин свободного пробега. Невидимому, вырываемые на этой глубине электроны получают значительную кинетическую энергию, которую постепенно теряют при ряде последовательных столкновений с тепловыми флуктуациями решетки или с другими неоднородностямп. [15]
Страницы: 1 2 3