Образование - ямка
Cтраница 1
Образование ямок также зависит от концентрации Gal в зоне источника. [1]
Образование эрозионных ямок наблюдается при проведении процесса диффузии в атмосфере сухого азота. Глубина их может превышать толщину неглубоких диффузионных слоев, что приводит к шунтированию p - n - переходов. Для предотвращения образования на поверхности кремниевых пластин эрозионных ямок процесс диффузии проводят в атмосфере азота с добавлением кислорода. [2]
 |
Показатели эмбриогенеза глаза. [3] |
Образование глазных ямок и переход нх в глазные пузыри, расположенные по сторонам от переднего мозгового пузыря. [4]
 |
Ямки травления на дислокациях в сплаве железа с никелем. Термическое травление при 1100 С, вакуум 10 - ммрт. ст., X 600. [5] |
В реальных кристаллах образование элементарной ямки происходит на дислокации, поскольку вблизи дислокации понижается энергия удаления атома с поверхности твердого тела - Понижение энергии обусловлено искажениями решетки в зоне дислокации и присутствием примесей ( не любых), снижающих поверхностную энергию вблизи выхода дислокации. При травлении все время идет образование зародышей растворения. Они растут, расширяясь вдоль поверхности и углубляясь. Так они достигают видимых под микроскопом размеров. [6]
 |
Усталостное выкрашивание зуба шестерни.| Схема, поясняющая механизм усталостного выкрашивания при линейном контакте ( по Трубину. [7] |
Схема, поясняющая механизм образования ямок усталостного выкрашивания, показана на рис. 60 [94]; масло заполняет трещины А и Б, однако если скорости качения vKl, VK, обеих контактирующих поверхностей 1, 2 неодинаковы ( vKl vKl), то из трещины А на опережающей поверхности 1 оно выдавливается обратно. В то же время на отстающей поверхности 2 устье трещины Б закрывается опережающей поверхностью. [8]
 |
Выделение карбидов хрома Сг23С6 по границам зерен и субзерен в стали 08Х18Н10Т после нагрева при 650 С, 100 ч. ПЭМ х 16000. [9] |
В [211] предложена простая схема образования питтинговой ямки ( углубления) на стали. Скорость окисления на обнаженной поверхности металла может быть на несколько порядков величины больше, чем на поверхности, покрытой защитной пассивирующей пленкой. [10]
 |
Свободная энтальпия образования ДО вакан-снонного зародыша на свободной от дислокаций поверхности кристалла ( / и на конце дислокации ( 2 по схеме Кабреры. [11] |
Во многих случаях растворение кристалла с образованием ямок травления нежелательно - прежде всего в тех случаях, когда стремятся получать гладкую поверхность. Такую поверхность можно получить, применяя соответствующие растворы при полировании. [12]
Этот раствор советует применять Бакич [16] для образования ямок травления на образцах тантала. Чтобы декорировать дислокации, образцы надо нагревать в течение 30 мин на воздухе при температуре 770 С, затем дегазировать 30 - 40 мин в вакууме при J8000 С. [13]
 |
Схематическое изображение двенадцатиугольной ямки, ограниченной попеременно направлениями ( 1120 и ( 1010. Из такой ямки могут образовываться параллельные или перпендикулярные ямки. [14] |
Не заметна или вовсе отсутствует тенденция к образованию ямок травления вблизи двойникований, которые представляют собой области кристаллографических напряжений. [15]
Страницы: 1 2 3 4