Образование - ямка
Cтраница 4
При нагревании в вакууме порядка - 10 - - 6 - 10 - 9 торр соединений AIUBV до температур ниже Тпляв происходит разложение поверхностей кристалла, имеющих ориентацию 111, которое начинается на произвольных участках поверхности и сопровождается образованием термических ямок травления и бугорков. [46]
Крессель и Мироп [6.41] предположили, что разрушение ин-жекционных лазеров из GaAs может быть обусловлено вынужденным рассеянием Мандельштама - Бриллюэна. Образование ямки на поверхности зеркала при этом может быть вызвано сильным акустическим потоком. [47]
Несмотря на то, что в результате электролитического травления образуются ямки, оно с успехом применяется при изготовлении приборов из полупроводников электронной проводимости. Процесс образования ямок может быть замедлен в результате действия любого агента, который увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике. Так, повышение температуры, облучение светом, инъекция дырок при помощи эмиттера способствуют получению гладкой поверхности. [48]
Влияние добавки к никелю около 18 % по массе хрома на реакцию металл - сапфир в инертной атмосфере проявляется в снижении количества ямок по сравнению с чистым никелем. Хотя здесь и возможно образование ямок того же размера, что и в случае никель - сапфир, температура для этого должна быть повышена до 1350 С. [49]
Случай Ва подобен случаю Ар. Фактически же условий для образования ямок травления меньше. [50]
Подобное же объяснение формы ямок давали Эванс и Соутер [110], рассматривая травление поверхности алмаза кислородом. Согласно общепринятой теории [111, 112] механизма образования ямок травления, для возникновения ярко выраженных ямок требуется по крайней мере два агента, один из которых действует как ингибитор, а другой - как травящее вещество. Таким образом, чтобы объяснить структуру гексагональных ямок, кроме кислорода и графита нужно иметь по крайней мере еще одно вещество. Таким веществом, по всей вероятности, является поверхностный окисел, возникающий в результате хемосорбции СЬ или продуктов реакции окисления. Для обнаружения и идентификации поверхностных окислов, образующихся на монокристаллах графита с такой малой площадью поверхности, необходима чрезвычайно чувствительная аппаратура. Но можно предположить, что менее ярко выраженные террасы внутри ямок, образующиеся при более высоких температурах, возникают благодаря уменьшению устойчивости поверхностных окислов при этих температурах, а значит, и уменьшению их ингибирующего действия. Однако при такой интерпретации приходится считать, что некоторые кромки базисных плоскостей более склонны к образованию поверхностных окислов, чем другие. [51]
К такому же результату может привести и специфика движения многоатомных рядов, расходящихся от субмикроскопических очагов сублимации, которые зародились на кристалле по какой-либо иной причине. Однако совершенно очевидно, что независимо от истинного механизма образования ямок сублимации само их присутствие служит наглядным подтверждением неоднородного протекания процесса сублимации на поверхности. Кроме указанной неоднородности, проявляющейся даже в пределах одного зерна, для поликристаллических материалов возможна неодинаковая скорость испарения отдельных зерен, обусловленная их различной ориентацией относительно поверхности. Такая избирательная сублимация приведет к значительному изменению оптических свойств материала, что особенно нежелательно для деталей, используемых в специальных системах теплообмена. [52]
 |
Ямки травления из плоскости ( HI кремния. [53] |
Выход дислокации на поверхность связан с образованием поверхностного дефекта упаковки. Воздействие на поверхность кремния каким-либо растворителем ( травителем) приводит к образованию характерных ямок, которые по внешнему виду отличаются от ямок, образующихся ( также при травлении) в местах расположения микродефектов. [54]
 |
Винтовая дислокация в кристалле карборунда. [55] |
Кристалл, растущий в растворе, может быть особенно склонен к образованию полых дислокаций, вероятно, вследствие относительно низкого межфазного натяжения между твердым телом и жидкостью. При травлении кристаллов вещество удаляется преимущественно из центров дислокаций, что приводит к образованию ямок травления. [56]
Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций, так как энергия деформации вблизи дислокаций достаточна для образования ямок травления и центров окисления. Локализованная энергия зависит от вида дислокации, и, в частности, доказано, что скорость образования ямок при растворении больше на краевых, чем на винтовых дислокациях. Дислокации в отличие от других несовершенств кристаллической решетки присущи веществу и не связаны с наличием примесей. Они характеризуются энергией искажения кристаллической решетки, а появление их, виды и типы развития непосредственно связаны с электронным строением вещества. Выходы дислокаций на поверхности соответствуют местам концентрирования нарушенных конфигураций электронов. [57]
Избирательное травление вызывает следующие изменения поверхности шлифа: образование рельефа; образование оксидных или других пленок различной толщины на структурных составляющих; образование ямок травления. [58]
Избирательное травление вызывает следующие изменения поверхности шлифа: образование рельефа; образование оксидных или других пленок различной толщины на структурных составляющих; образование ямок травления. [59]
В основном эти расстояния при сколе и последующем окислении очень мало или вообще не соответствуют рисункам травления на каждой из плоскостей. Однако на основании этого нельзя сделать вывода, что одиночные дислокации по осям с, если таковые имеются, не являются инициаторами образования ямок травления. В связи с этим необходимо вспомнить замечание Хенига [33] о том, что с-осевые винтовые дислокации начинаются и оканчиваются, очевидно, на трещинах раскола, поскольку топологически невозможно существование дислокаций, оканчивающихся внутри любого кристалла, в том числе и графита. [60]
Страницы: 1 2 3 4