Образование - точечный дефект
Cтраница 1
 |
Точечные дефекты кристаллической решетки. а - незаполненный узел ( вакансия. б - атом внедрения. в - замещенный атом. [1] |
Образование точечных дефектов вызвано тем, что атомы, совершающие колебания в узлах кристаллической решетки, вследствие флуктуации энергии или внешнего энергетического воздействия получают дополнительный запас энергии и переходят в состояние с большей потенциальной энергией. [2]
 |
Дефект по Шоттки. [3] |
Образование точечных дефектов требует значительных затрат энергии. Эта энергия находится в прямой зависимости от прочности химических связей и пропорциональна энергии связи в кристалле. [4]
Образование точечных дефектов по Френкелю происходит в результате переползания атомов из узла в междуузлие. Дефекты по Френкелю возникают при более высоких температурах, так как диаметры междуузлий обычно бывают меньше диаметров узлов решетки. [5]
Вследствие образования точечных дефектов увеличивается энтропия кристалла, из-за чего при достаточно высокой температуре в значительной мере компенсируется затрата энергии на образование дефекта. [6]
 |
Точечные дефекты кристаллической решетки. а - незаполненный узел ( вакансия. б - атом внедрения. в - замещенный атом. [7] |
При образовании точечного дефекта заметные смещения претерпевают лишь те атомы, которые близко расположены к вакантному узлу, замещенному атому или междоузлию, занятому атомом внедрения. По мере удаления от центра возмущения искажения решетки быстро уменьшаются. [8]
При образовании точечных дефектов по типу внедрения рассчитанные среднеквадратичные статические смещения намного превосходят измеренные величины. [9]
Свободная энергия образования точечных дефектов настолько мала, что заметное количество их может присутствовать в термодинамическом равновесии во многих типах кристаллов вблизи точки плавления. [10]
Показан механизм образования точечных дефектов потери устойчивости формы, связанный с изменением фазового состава стали и образованием пластических шарниров. Разработаны реальные рекомендации, позволяющие снизить уровень напряжений в конструкции. [11]
 |
Концентрация дефектов пары вакансия - межузельный ион. [12] |
Энергия активации процесса образования точечных дефектов зависит от их типа, химической природы вещества и его структуры, поэтому, хотя в решетке любого немолекулярного кристалла присутствуют одновременно все виды точечных дефектов, одни из них ( с меньшей энергией активации) обычно преобладают над другими. [13]
Иногда считают, что причина образования точечных дефектов ( и микродефектов) связана с наличием в кристалле внутренних напряжений. В действительности же внутренние напряжения возникают как результат неравновесного содержания микродефектов в различных участках кристалла. Так, при неравномерном ( быстром) охлаждении кристалла дефекты не успевают перераспределиться в соответствии с новыми температурными условиями, в результате возникают участки сжатия и расширения. [14]
Такой результат следовало ожидать, если учесть, что образование точечных дефектов, индуцированных облучением, и вызываемые ими искажения решетки ведут к незначительным сдвигам атомов, соответствующим превращению со смещением. [15]
Страницы: 1 2 3 4