Образование - точечный дефект
Cтраница 2
Кроме того на скорость диффузии значительное влияние оказывает кинетика образования точечных дефектов, исследование которой при температурах выше 1700 - 1800 С чрезвычайно затруднительно. Очевидно, окислы, у которых имеется лишь небольшое отклонение от стехиометрии, обладают минимальными коэффициентами диффузии, и наоборот, у окислов с широкой областью гомогенности и, следовательно, небольшой энергией образования точечных дефектов, скорости диффузии более высоки. [16]
При выводе квазихимических уравнений обычно принимают, что вероятность образования точечного дефекта на любом узле или междоузлии решетки не зависит от состояния узлов, окружающих рассматриваемую точку. [17]
Внутри кристалла наблюдаются локальные флуктуации энергии, являющиеся первопричиной образования кристаллографических точечных дефектов. [18]
Обнаружение структур сдвига и изучение их строения показало, что образование точечных дефектов является не единственным механизмом формирования фаз, состав которых отличается от стехиометрического, определяемого законом простых кратных отношений. [19]
Согласно современной теории разупорядочения [2], нестехиометричность кристалла связана с образованием точечных дефектов типа вакансий или внедренных ионов. Учитывая, что ферриты со структурой шпинели имеют две катионные и одну анионную подрешетки, трудно без непосредственного эксперимента решить вопрос о природе доминирующих точечных дефектов. В некоторых случаях полезная информация может быть получена из термодинамических исследований. Однако природа дефектов и характер их распределения по подрешет-кам сложного кристалла могут быть установлены структурными исследованиями, связанными с измерением интенсивности дифракционных отражений в дефектных кристаллах. [20]
Энергия дислокаций составляет несколько электрон-вольт на атом, поэтому в противоположность образованию точечных дефектов термическая активация не может помочь образованию дислокаций. [21]
Таким образом, изменение энергии электронной подсистемы дает значительный вклад в энергию образования точечных дефектов в металлах. [22]
Из сказанного следует, что лазерное облучение полупроводников в условиях межзонного поглощения приводит к образованию точечных дефектов в приповерхностной области кристалла при энергиях импульсов - ( 0 05 - 0 1) Wnop, где Wnop - порог плавления поверхности. [23]
Необходимость применения высоких температур является ограничением метода, так как повышает вероятность загрязнения полупроводника побочными примесями, стимулирует образование точечных дефектов ( вакансий, атомов в междоузлиях и др.), вызывает дополнительные трудности при локализации диффузии с помощью масок. [24]
Недостаточно чистое сырье или происходящие в процессе роста химические реакции вызывают помутнение кристалла, накопление в нем примесей, образование точечных дефектов. [25]
 |
Выбранные для измерения сопротивления точки механической кривой гистерезиса. [26] |
Для понимания совокупности усталостных явлений необходимы дальнейшие исследования микроскопических процессов, которые включают в себя, в частности, изменения плотности дислокации в областях с более низкой концентрацией дислокаций, образование точечных дефектов [11, 12] и их агломерацию. Для таких экспериментов особенно пригодны физические величины, которые не реагируют лишь на механические напряжения. Показано, что при количестве циклов, при котором стабилизируется амплитуда напряжения, добавочное электрическое сопротивление возрастает из-за образования точечных дефектов. [27]
Если же число свободных носителей в чистом кристалле невелико, то при взаимодействии носителей, введенных примесью с точечными дефектами, выделяется энергия, которая может скомпенсировать энергию, затрачиваемую на образование точечных дефектов. Иными словами, если энергия образования дефектов мала по сравнению с их энергией ионизации, то все свободные носители, создаваемые примесью, будут компенсироваться в результате образования ионизированных дефектов, и кристалл при всех равновесных условиях будет изолятором. Поэтому эффект компенсации электрически активных примесей ионизированными точечными дефектами должен проявляться в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны, в которых число свободных носителей мало, даже при высоких температурах, при которых примесь вводится в кристалл. [28]
Кроме указанной выше слабо обоснованной предпосылки Хирша в отношении большого количества межузельных порогов, другие недостатки могут быть охарактеризованы тем, что образующиеся в отожженных металлах в процессе пересечения дислокаций пороги могут исчезать, и вклад в упрочнение, обусловленный образованием точечных дефектов, в этом случае должен быть относительно небольшим. [29]
С термодинамической точки зрения точечные дефекты в кристалле должны существовать при любых температурах выше абсолютного нуля. Образование точечного дефекта в совершенном кристалле сопровождается увеличением как внутренней энергии, так и энтропии, а равновесная концентрация дефектов достигается при минимальной свободной энергии системы. В кристалле существуют одновременно дефекты разного рода. Поскольку свободная энергия образования разнородных дефектов неодинакова и сильно зависит от температуры, то при разных внешних условиях в системе могут преобладать дефекты одного либо другого типа. [30]
Страницы: 1 2 3 4