Образование - точечный дефект
Cтраница 3
Колебания атомов будем описывать с помощью модели Эйнштейна, согласно которой каждый атом имеет три степени свободы и совершает гармонические колебания с определенной частотой v, причем колебания всех атомов независимы. Образование точечного дефекта изменяет силы связи соседних атомов и, следовательно, частоту их колебаний. [31]
 |
Каталитическая активность ферритовых порошков в зависимости от температуры обжига гидроксида ( /. оксалата ( 2. шенита ( равновесная кристаллизация ( 3. шенита ( высаливание ( 4. [32] |
Он с успехом используется для определения как точечных, так и протяженных дефектов различного типа. Образование точечных дефектов типа вакансий или внедренных атомов вызывает смещение ионов из регулярных позиций. [33]
Возникновение или поглощение точечных дефектов наблюдается при неравновесных процессах, происходящих во время деформации металла и облучения его. Механизм образования точечных дефектов при деформации неясен. При облучении схема процесса проста ( но сложны детали): облучение выбивает атомы, которые переходят во внедренные положения, при этом остаются вакантными узлы решетки. Образованием таких точечных дефектов объясняется наблюдавшееся в работе [273] явление уменьшения проницаемости армко-железа после облучения нейтронами. Количество же окклюдированного водорода при этом повышается, так как образующиеся вакансии служат коллекторами для водорода. [34]
Протон с энергией 1О МэВ, движущийся сквозь фотопреобразователь, теряет свою энергию в соударениях с атомами кремния. Это приводит к образованию точечных дефектов, а также ( особенно вблизи конца длины пробега) к возникновению скоплений дефектов, которые создаются в результате рассеяния больших количеств энергии протона. [35]
 |
Дислоцированный атом ( А и вакансия ( В в простой кристаллической решетке образуют парный дефект Френкеля.| Направление смещения атомов вокруг вакансии в плоскости 100 г. ц. к. решетки. [36] |
Несмотря на то что образование точечных дефектов всегда требует затраты энергии и, следовательно, приводит к повышению энтальпии системы ( ДЯ0), присутствие точечных дефектов в определенных концентрациях, тем больших, чем выше температура тела, является термодинамически равновесным, а значит и неизбежным. Связано это с тем, что наличие точечных дефектов повышает одновременно с энтальпией и энтропию системы. При этом до определенных концентраций правн энтропийный член ГАЗ оказывается большим по абсолютной величине, чем значение ДЯ. В результате суммарное изменение свободной энергии Д АЯ-ГАЗ при наличии точечных дефектов в количестве п правн оказывается меньше нуля, чем Е отсутствие этих точечных дефектов. Такие точечные дефекты являются термодинамически равновесными. [37]
Температура-один из основных факторов, влияющих на степень радиационных нарушений в материалах. Бомбардировка нейтронами приводит к образованию точечных дефектов, дальнейшая судьба которых определяется температурными условиями. Миграция дефектов к местам стоков, аннигиляция парных дефектов Френкеля, образование комплексов и другие диффузионные процессы связаны с температурой. Число смещенных атомов в момент взаимодействия излучения с вещест-вом при низкой и высокой температуре одинаково; однако, так как подвижность дефектов при высокой температуре больше, они скорее аннигилируют. Это приводит к уменьшению концентрации дефектов, а следовательно, к меньшему изменению свойств при облучении. [38]
Возникновение таких петель объясняется образованием точечных дефектов, вероятно вакансий, под действием ионной бомбардировки в электронном микроскопе. Все петли имеют наклонный вектор Бюргерса и содержат внутри себя дефекты упаковки. При дальнейшем росте дислокационные петли образуют сетки в базисной плоскости кристалла, причем сетки очень интересного типа, так как они состоят только из частичных дислокаций. [39]
Развитие пластической деформации сопровождается образованием точечных дефектов ( вакансий и дислоцированных атомов) в металле, подтверждаемое данными по изменению электросопротивления, и выделением энергии при нагреве пластически деформированных металлов. [40]
Экспериментальную основу для определения энергии образования точечных дефектов составляют результаты подробного исследования самодиффузии, внутреннего трения, электропроводности и других физических явлении. [41]
Представления о дивакансиях и ассоциациях из двух междоузель-ных атомов использованы в работе [109] для объяснения ряда явлений, наблюдавшихся в деформированном германии. В той же работе приведено сравнение особенностей образования точечных дефектов в Ge при деформации, закалке и бомбардировке быстрыми электронами. [42]
 |
Две краевые дислокации, расположенные в одной плоскости скольжения.| Две краевые дислокации противополож. [43] |
При этом из двух лишних полуплоскостей образуется одна атомная плоскость. Этот эффект может играть весьма важную роль в образовании точечных дефектов в процессе пластической деформации. [44]
Вы поймете, что отклонение состава кристаллов от стехиометрического связано с образованием точечных дефектов, взаимодействие которых друг с другом обусловливает специфику химического поведения, а также многие свойства кристаллов. [45]
Страницы: 1 2 3 4