Объем - кристалл
Cтраница 1
Объем кристалла с массой М составляет М / р, где р - плотность кристалла. [1]
Объем кристалла играет роль резервуара, поставляющего на поверхность свободные электроны и уводящего их в объем. [2]
Объем кристалла с дефектами Френкеля в первом приближении не зависит от концентрации дефектов, и число узлов остается постоянным. [3]
Объем кристалла V входит в это выражение в виде отдельного множителя. [4]
 |
К расчету постоянной Маделунга для структуры NaCl. [5] |
Объем кристалла V - yNr3, где N-число пар ионов; у-множитель порядка 1, который зависит от типа структуры. [6]
 |
Некоторые формы кристаллов кварца. [7] |
Весь объем кристалла делится тремя семействами параллельных плоскостей на параллелепипеды, называемые элементарными ячейками. Именно правильная и периодическая повторяемость расположения частиц в структуре кристалла позволяет представить решетку в виде множества элементарных ячеек. [8]
В объеме кристалла появляются свободные электроны, которые обладают энергией, соответствующей уровням зоны проводимости. Так как у полупроводников ширина ззпрещенной зоны, отделяющей зону валентных электронов от зоны проводимости, незначительная ( у кремния - 1 1 эВ, а у германия - 0 72 эВ), то у них возможно получение заметной проводимости даже при комнатной температуре. В том месте кристаллической решетки, где электрон 5 вышел из парноэлектронной связи, образуется как бы пустое, ничем не заполненное место 6, получившее название дырки. При образовании дырки в атоме появляется нескомпенсированный на один электрон положительный заряд ядра, поэтому дырка может быть представлена как положительный заряд, равный по величине заряду электрона. Из рис. 5, б ( атом с дыркой изображен заштрихованным, а нейтральный атом - светлым) видно, что процесс перемещения дырки из одной парноэлектронной связи к другой равноценен перемещению частицы, имеющей положительный заряд. При отсутствии внешнего электрического поля движение электронов и дырок в кристалле происходит беспорядочно. [9]
В объеме кристалла появляются свободные электроны, которые обладают энергией, соответствующей уровням зоны проводимости. Так как у полупроводников ширина запрещенной зоны, отделяющей зону валентных электронов от зоны проводимости, незначительна ( у кремния-1 1 эВ, а у германия-0 72 эВ), то у них возможно получение заметной проводимости даже при комнатной температуре. В том месте кристаллической решетки, где электрон 5 вышел из парноэлектронной связи, образуется как бы пустое, ничем не заполненное место 6, получившее название дырки. [10]
В объеме кристаллов дислокации располагаются в виде сеток. Наряду с сетками могут существовать как отдельные дислокации, так и дислокационные сплетения ( клубки), которые возникают при сложном взаимодействии точечных дефектов и дислокаций. [11]
Ус - объем кристалла; v - фопокная мода с волновым вектором q; bv и bj - соответственно операторы уничтожения и рождения фонона v; 9 ( v, г) - функция координаты электрона, зависящая от волнового вектора и поляризации фонона, ее свойства в значительной степени определяются пространственной протяженностью взаимодействия. В приближении деформационного потенциала О OOP взаимодействие является короткодействующим. [12]
И - объем кристалла, si - скорость звука, соответствующая фонону i. Здесь при преобразован аргумента, стоящего под знаком 6-функции, используется соотношение ион г / г. ( здесь суммирования по i нет. [13]
VQ - объем кристалла в от-счетном положении, приходящийся на одну частицу. Первые два слагаемых в ( 1) соответствуют взаимодействию между ближайшими соседями по кристаллической решетке, третье слагаемое отвечает взаимодействию с атомами второй координационной сферы. В качестве отсчетного положения полосы возьмем ее равновесное состояние, при котором суммарная сила взаимодействия между частицами в сечении, перпендикулярном ж, равна нулю. [14]
Для этого объем кристалла нужно привести к объему эквивалентной сферы радиуса г и в дальнейших расчетах пользоваться этим эквивалентным радиусом. [15]
Страницы: 1 2 3 4