Объем - кристалл
Cтраница 2
В сегнетоэлектриках объем кристалла состоит из областей ( домены), в каждой из которых произошла самопроизвольная ( спонтанная) поляризация. В результате в пределах каждой области произошло ориентирование диполей в одном направлении, каждая область создает результирующее электрическое поле, имеющее определенное направление. [16]
Если некоторый объем кристалла полупроводникового прибора оказывается под действием электрического поля, образованного приложенной разностью потенциалов, то со стороны отрицательного полюса идут электроны к дыркам. На местах оторвавшихся от атома электронов образуются другие дырки. Происходит как бы движение дырок к отрицательному полюсу источника литания от положительного, что аналогично электрическому току, учитывая, что дырки имеют положительный заряд. Так осуществляется дырочная электропроводность. [17]
В элементах объема кристалла, обогащенных вакансиями, концентрация материальных частиц меньше, чем там, где меньше вакансий, поэтому должен возникать перенос вещества, встречный переносу вакансий. [18]
Присутствие в объеме кристаллов металлических, изолированных от внешней по отношению к алмазу среды включений искажает внутрикристаллическое поле, возбуждаемое в алмазе внешним электромагнитным полем резонатора. Причем величина и степень искаженности поля в локальных участках алмазной матрицы, прилегающих к дефектам, обусловлены и эффектами поляризации, связанными со скоплением заряда на границах включений и других структурных неоднородностях. Поэтому в переменном электрическом поле во включениях происходят процессы перераспределения этих зарядов, вызывающие появление дипольных моментов у электропроводящих частиц и их осиляции, совпадающие с частотой приложенного к алмазу внешнего электрического поля. Величина дипольного момента частицы определяется не только размерами и формой, но и электрофизическими свойствами вещества частицы, в частности, электропроводностью. Поэтому такого типа включения на алмазах в первом приближении можно рассматривать как квазиупругие диполи, релаксационные процессы, в которых ( отражая степень совершенства структуры частиц) изменяют однородность внутрикристаллического поля в алмазах. [19]
НО ] в объем кристалла должны поставляться меж - узлия, а при движении ступенек вдоль сегментов [ ОН ] - вакансии. Процесс должен сопровождаться обменом дефектами между сегментами петель посредством канальной и объемной диффузии, без чего петля не может сохранить единую плоскость скольжения; при этом дислокация может терять дефекты, что является причиной искажения следующих за ней дислокаций. В таком случае, согласно [500], в пределе энергия активации движения дислокаций должна определяться энергией образования и миграции точечных дефектов, которые обеспечивают движение ступенек и тем самым облегчают сквозное движение перегибов за диффузионно перемещающейся ступенькой. [20]
Такие плоскости разбивают объем кристалла на элементарные ячейки ( рис. 2.51), как бы кирпичики, из которых состоит весь кристалл. [21]
Очевидно, что объем кристалла растет с увеличением среднего расстояния между атомами. Значит, повышение температуры влечет за собой увеличение среднего расстояния между атомами кристалла. Чем же обусловлено увеличение расстояния между атомами при нагревании. [22]
 |
Изменение N - / ( 5 на грани ( 111, участки Д, Е ( 11. [23] |
При этом весь недеформированный объем кристалла как бы заключен в более жесткую рубашку приповерхностного слоя, упрочненную повышенной плотностью дислокаций. Таким же образом исследования проводили на грани ( 112), где наблюдается аналогичная картина. [24]
Вызываемое дислокациями увеличение объема кристалла достаточно мало, чтобы можно было считать объем его независящим от рд. Дислокационное увеличение объема кристалла, несмотря на свою малость, приводит, однако к изменению первоначальной частоты колебаний v кристаллической решетки; согласно соотношению Грюнайзена Av / v - ГАУ / У, где Г - константа Грюпайзена. Изменение частоты колебаний означает изменение энтропии кристалла. По общим соотношениям статистической термодинамики связанная с колебаниями энтропия ( она называется вибрационной) равна взятому со знаком минус произведению константы Больцмаиа k на логарифм коэффициента пропорциональности в выражении для распределения вероятностей. [25]
Остальные 99 % объема кристалла, лежащего под этим слоем, выполняют роль лишь носителя МОП-транзистора или подложки. Таким образом, структуру МОП-транзистора можно охарактеризовать следующим образом: она представляет собой упорядоченные определенным образом по горизонтали и вертикали смежные области из различных материалов, располагающиеся в приповерхностном слое кремниевого кристалла. К числу этих материалов относятся р-кремний ( легированный акцепторной примесью), n - кремний ( легированный донорной примесью), двуокись кремния и металлический алюминий. [27]
Малые относительные изменения объема кристалла AV / V связаны с деформацией растяжения ( сжатия) линейно. Коэффициент пропорциональности зависит от типа симметрии и соотношения упругих постоянных кристалла и находится по разности между растяжением в направлении g и поперечными сжатиями. [28]
Интегрирование проводится по объему кристалла У и по всем возможным значениям импульса. Условие нормировки не зависит от времени, функция же распределения в общем случае зависит от времени. [29]
Энергия (36.8) пропорциональна объему кристалла V. Поэтому, разделив (36.8) на V, получим энергию единицы объема кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4