Объем - кристалл
Cтраница 3
Распределение дислокаций в объеме кристалла может быть, вообще говоря, полностью хаотичным. Было отмечено, однако, что в кристаллах, подвергавшихся отжигу, дислокации очень часто стремятся сгруппироваться. При этом они могут выстраиваться в виде более или менее упорядоченных дислокационных стенок. Иногда такие дислокационные стенки в свою очередь образуют трехмерную сетку, охватывающую весь кристалл. Выходя на поверхность кристалла, они проявляются в виде сетки почти правильных многоугольников, как было показано на примере бромида серебра в работе Митчелла [5], использовавшего для этой цели фотолити-ческое осаждение серебра на дислокациях. [31]
При этом в объеме кристалла остаются следы перемещения этих скатов в виде паразитных пирамид. Угол наклона этих образований определяется отношением нормальной скорости перемещения к тангенциальной. При пересечении этих образований поверхностью г / - пластины они образуют полочки псевдозонарности. [32]
Уменьшение энергии в объеме кристаллов, происходящее в процессе повышения их структурного совершенства, перекрывает возрастание поверхностной энергии при любых, даже самых малых размерах рекристаллизованного зерна. Совсем не обязательно, чтобы зерна в рекристаллизованном металле были крупнее, чем в деформированном. К моменту окончания первичной рекристаллизации суммарная поверхность равноосных зерен, выросших из множества центров, может быть больше суммарной поверхности вытянутых деформированных зерен. [33]
Распространение трещины в объеме кристалла происходит неравномерно. Сначала трещина развивается вдоль поверхности в виде узкой полосы разрушения путем отрыва. У конца трещины в этих плоскостях образуются новые дислокации. Линии скольжения образуют на поверхности кристалла сетку квадратов, общей диагональю которых является направление развития трещины. [34]
При этом в объеме кристалла остаются следы перемещения этих скатов в виде паразитных пирамид. Угол наклона этих образований определяется отношением нормальной скорости перемещения к тангенциальной. При пересечении этих образований поверхностью г / - пластины они образуют полочки псевдозонарности. [35]
В соответствии с этим объем кристалла делится на части с помощью непересекающихся друг с другом ППВ-сфер, описанных около атомов. [36]
В (18.7) V обозначает объем кристалла. [37]
 |
Изменение локальной концентрации диполонов Wg в кристаллах BaS04, выделенных из пересыщенного раствора при разной продолжительности кристаллизации. W - концентрация диполонов при ( 2 мин. [38] |
На стадии роста в объем кристаллов попадают включения маточного раствора и точечные дефекты. На включения маточного раствора указывает наличие в осадке до 20 мол. [39]
К - функция только объема кристалла, одинаковая для всех / - граней. [40]
При образовании вакансии изменение объема кристалла оказывается меньше атомного объема примерно вдвое. [41]
Так как в единице объема кристалла содержится около 1023 атомов, то ясно, что уравнение (2.13) содержит очень большое число переменных и решить его точно практически невозможно. Поэтому задача теории твердого тела заключается в отыскании достаточно обоснованных приближенных методов решения уравнения Шредингера для кристалла, которые бы позволили интерпретировать данные эксперимента. [42]
Так как в единице объема кристалла содержится около 1023 атомов, то ясно, что уравнение (2.28) содержит очень большое число переменных и решить его точно практически невозможно. Поэтому задача теории твердого тела заключается в отыскании достаточно обоснованных приближенных методов решения уравнения Шре-дингера для кристалла, которые бы позволили интерпретировать данные эксперимента. [43]
Так как в единице объема кристалла содержится около 1023 атомов, то ясно, что уравнение (2.13) содержит очень большое число переменных и решить его точно практически невозможно. Поэтому задача теории твердого тела заключается в отыскании достаточно обоснованных приближенных методов решения уравнения Шредингера для кристалла, которые бы позволили интерпретировать данные эксперимента. [44]
Рассмотрим макроскопически большой элемент объема кристалла, содержащий много элементарных ячеек, но все же малый по сравнению с длиной волны. [45]
Страницы: 1 2 3 4