Cтраница 1
Обыскривания сначала падает, а затем становится постоянной в результате их выгорания из поверхностного слоя. Через 40 - 60 с стабилизируются процессы поступления этих элементов из твердой фазы в жидкую, а затем в облако разряда, и интенсивность их линий становится постоянной. [1]
После обыскривания могут иметь место случайные, неконтролируемые изменения интенсивности линий и фона во времени. Их принято называть флуктуациями интенсивности. Связаны они либо со случайными изменениями условий атомизации и возбуждения, либо с тем, что в результате перемещения плазмы в пространстве изменяется световой поток, поступающий в спектральный прибор. [3]
![]() |
Кривые обыскри - при каждом импульсе поступающее в вания плазму, возрастает с увеличением ем. [4] |
Эффект обыскривания объясняется относительно медленным по сравнению с импульсом тока изменением физических свойств и химического состава поверхности электрода под действием искры. [5]
Эффект обыскривания зависит от содержания кислорода в атмосфере, окружающей разряд. В некоторых случаях на эффект обыскривания могут влиять и другие явления. Так, например, В. И. Широков [ 94] с помощью рентгенографических методов обнаружил, что в процессе обыскривания микроструктура стали меняется на глубину около 1 мм. Автор объясняет это изменение реакцией с азотом, диссоциированным в разряде, и последующей закалкой под влиянием нагрева. [6]
Длительность обыскривания может быть довольно велика, и в отдельных случаях она достигает нескольких минут. Время обыскривания обычно устанавливается графически. Заметно, что в первые моменты действия искры относительная интенсивность линии кремния довольно сильно уменьшается и после 60 сек остается более или менее постоянной. В этом случае обыскривание снижает чувствительность определений малых содержаний кремния. Опытный наблюдатель может производить фотометрирование через 2 - 3 сек после включения искры и получать градуировочные графики при сравнении более ярких линий, чем после нормального обыскривания. [7]
При обыскривании натрия применяют в основном ту же методику, что и при анализе образцов с более высокой температурой плавления. Обычно набирается серия экспозиций, начиная с наиболее продолжительной. [8]
Если пятно обыскривания по площади больше заточенного поперечного сечения профиля, то зачищают и прилегающие к ней поверхности, параллельные направлению прокатки. [9]
Рекомендуется [1497] проводить обыскривание в атмосфере кислорода. [10]
Сущность обжига и обыскривания состоит в предварительном ( до регистрации спектра) кратковременном пропускании соответствующего электрического разряда через анализируемый образец. В результате матричные эффекты существенно уменьшаются, а правильность результатов улучшается. [11]
![]() |
Вращающийся электрод для анализа растворов. [12] |
Перед началом экспозиции проводится обыскривание ( см. стр. [13]
Явления, вызывающие эффект обыскривания, сложны и полностью не изучены, поэтому мы не будем больше на них останавливаться. [14]
Температура образца в течение обыскривания зависит от его размера, теплопроводности и теплового контакта между образцом и зажимами электродов. Для данного типа разряда температура зависит также от напряжения пробоя, продолжительности и частоты повторения импульсов. [15]