Обыскривание

Cтраница 2

По кривым устанавливается время обыскривания или обжига, которое и учитывается при проведении анализа. [16]

Значительную роль в процессе обыскривания играет также разогрев образца, меняющий характер испарения отдельных компонентов с его поверхности и скорость диффузии из более глубоких слоев к поверхностным. Поэтому форма кривой обыскривания зависит от формы и массы образца. Особенно сильно проявляется эффект обыскривания, когда в результате сплавления двух металлов не образуется истинного раствора. [18]

Более крутой наклон кривой обыскривания для этого образца свидетельствует о том, что влияние третьего элемента с увеличением времени обжига усиливается. Это влияние вызвано высоким содержанием хрома в данном образце. Эффект не наблюдается для образца Е, если время обжига было коротким. Отсутствие этого эффекта обусловлено относительно высоким содержанием кремния, который, очевидно, оказывает компенсирующее действие. Однако с увеличением времени обжига поверхностный слой образца обедняется кремнием ( он выгорает), в результате чего понижается его компенсирующее влияние. Это подтверждается также кривой обыскривания образца Е, наклон которой значительно круче, чем у подобных кривых, относящихся к нелегированным сталям. Точка, принадлежащая образцу F, лежит намного ниже обеих аналитических кривых, что обусловлено высокой концентрацией никеля в этом образце, содержащем к тому же значительные количества хрома. Имеет место также компенсирующее влияние нелегирующих компонентов. Кроме того, точка, относящаяся к пробе G, находится на аналитической кривой, если время обжига короткое, и расположена вне ее, если время обжига большое. Сильное влияние высоких содержаний хрома и никеля в образце компенсируется противоположным влиянием значительных количеств титана. Однако это влияние пропадает при увеличении времени обжига, так как титан за время обжига успевает выгореть. Присутствие кремния и титана, летучесть которых относительно высока, уменьшает в основном испарение железа и мало влияет на испарение более летучего марганца. После того как значительная часть этих элементов выгорит, их компенсирующее влияние исчезает. [19]

Следует заметить, что при обыскривании поверхности стенок баллонов током от трансформатора Тесла даже со стенок хорошо обезгаженных баллонов выделяется большое количество углекислого газа и паров воды. Очевидно, токи высокой частоты выбивают молекулы газов, растворенные внутри стекла. [20]

Согласно методу интенсивного предварительного обыскривания, обыскривание проводят разрядом очень высокой мощности, характеристики которого резко отличаются от характеристик разряда, используемого для возбуждения спектров в течение экспозиции. [21]

Оптические схемы для изучения временной. [22]

Необходимое для этого время называют временем обыскривания. Чаще всего это время не превосходит 1 - 2 мин. То обстоятельство, что излучение искры в разных фазах разряда различно, может быть использовано для улучшения результатов спектрального анализа, так как дает возможность выбрать для аналитических измерений такой момент времени и участок искрового промежутка, для которых условия проведения анализа наиболее благоприятны. [23]

Кривые обыскривания для линии Си 13247 ( с самопоглощением и для линии Си II 2247 ( свободной от самопоглощения. [24]

Существует тесная связь между необходимым периодом обыскривания, методом анализа и параметрами возбуждения. Кроме того, при прочих одинаковых условиях возбуждения с уменьшением поверхности электродов, обрабатываемой разрядом, сокращается необходимый период предварительного обыскривания. Оба этих явления обусловлены тем, что для эффекта обыскривания важна плотность энергии возбуждения, приходящаяся на единицу поверхности обыскривае-мой пробы. Поэтому эффект обыскривания усиливается с увеличением плотности энергии, в результате чего сокращается время, необходимое для достижения определенного состояния поверхности пробы. Успешно применяемый на практике способ состоит в определении по значениям АУ, измеренным при неоднократном обыскривании, периода возбуждения, для которого АУ, а точнее, значения найденных концентраций, наиболее воспроизводимы. [25]

Сг 2297 17 А в начальные моменты обыскривания ослабляется. [26]

Искровой разряд, так же как и различного обыскривания хро типа дуговые разряды, применяется при ана - ма Ри анализе зака лизе жидких проб и растворов. Пределы об - ны отожжен наружения в этих случаях являются такими же, как и при анализе твердых, порошкообразных проб, и достигают значений 10 - 3 - ральных линий) 10 - 5 %, которые сильно зависят от применяемого способа введения анализируемой пробы в источник света. Существенным преимуществом применения растворов является полное устранение влияния структуры и неравномерности распределения элементов в пробе на результаты анализа, что имеет огромное значение для процесса приготовления эталонов. Поэтому при работе с жидкими пробами возможно получить большую точность определений. Основным недостатком метода анализа, использующего растворы, являются большой расход пробы и низкий коэффициент использования ее в разряде. [27]

Уже отмечалось, что при этом сокращается время обыскривания, а также время анализа проб. [28]

Проблема корреляции между влиянием третьих элементов и процессами обыскривания заслуживает отдельного обсуждения. Во время процессов возбуждения и особенно испарения между определяемым элементом х, элементом сравнения г и третьим элементом возможны взаимодействия, которые могут изменять степень влияния третьих элементов. В некоторых случаях такие изменения могут оказаться благоприятными для практически полного подавления мешающего действия третьих элементов. Они могут происходить в определенный период возбуждения или начаться внезапно в любой момент и продолжаться затем до конца возбуждения. Это явление оказывает существенное влияние на результат анализа ( разд. В данном случае при соответствующем выборе продолжительности искрового обжига можно работать с единственным градуировочным графиком совершенно независимо от возможного присутствия мешающего третьего элемента. Углерод в первом примере, а хром и титан во втором играли роль мешающих элементов. [29]

Спектры эталонов и образцов фотографируют в двукратной повторное, обыскривание 60 с, продолжительность фотографирования 20 - 30 с в зависимости от чувствительности фотопластинок. [30]

Страницы: 1 2 3 4