Оже-электрон

Cтраница 3

Рассмотрим, как ток оже-электронов зависит от толщины образца, если образец состоит только из одного компонента. [31]

Комплексное исследование участка полупроводникового прибора. а - микрофотография в поглощенном токе. б - Оже-граммы кислорода ( вверху и золота ( внизу, полученные при анализе участка в прямоугольнике а. в - линейное сканирование для О ( вверху и Аи ( внизу вдоль линии, проведенной на 12 а. г - профиль глубина - состав, полученный в точке на 12, а. [32]

Последовательное получение изображений в Оже-электронах всех элементов, пики которых присутствуют в спектрах ЭСХА или ОЭС, дает карту распределения элементов в поверхностном слое. Распределение легко сопоставить с топографией поверхности, сравнивая изображения в Оже-элект-ронах с электронной микрофотографией. Линейное сканирование ( в) лает количественную информацию о распределении элементов, а профиль состав - время ионного травления ( г) - об изменении химического состава по глубине. В последнем случае ОЭС и травление поверхности образца ионным пучком проводят одновременно. [33]

С помощью анализатора, дискриминирующего оже-электроны по энергиям, исследуется распределение хим. элементов в поверхностном слое объекта с субмикронным разрешением. Для исследования глубинных слоев прибор оснащается ионной пушкой, при помощи к-рой удаляются верхние слои объекта методом ионно-лучевого травления. [34]

Этот вторичный электрон и есть Оже-электрон. [35]

Важным фактором является зависимость тока Оже-электронов от угла падения зонда. [36]

Эипргетичсский спектр вторичных ялет. троиов. 1 - упруго и кьазиупрум отражунныо алсктроны. z - ш-уггруго отраженные электроны ( в т. ч. о харантеристическиаш потерями энергии - S. J - истинно вторичные электроны. 1 - спектр истинно вторичных электронов д. ттл плоскости ( 100 монокри - W, полученный в у. чкогч телесном угле.| Зависимости коэффициента вторичной электронной эмисии аи упругого отражении г от энергии первичных электронов. п, отсчитываемой от уроним Фер-ми (. р, в области малых ннергии дпп i. вольфрама, покрытого слоем Ва и Csl. Кривым для Csl соответствует маиптаО слевй, г ( Еи смещена uuejix па 11 5. В скобках указаны кристаллографические индексы плоскостей монокристалла. [37]

Тонкая структура электронного спектра обусловлена оже-электронами и характеристич. [38]

Типы разрушения металлов. [39]

Интересные данные можно получить, используя Оже-электроны. Этот метод особенно перспективен для анализа легких элементов с Z15, когда рентгеновский анализ затруднен. [40]

В 1953 г. были зарегистрированы пики Оже-электронов при экспериментальном изучении спектра вторичных электронов и предложен метод Оже-спектроскопии. [41]

Исследование поверхностных слоев трения методом спектроскопии Оже-электронов / / Металлофизика. [42]

Некоторые методы оптической диагностики. [43]

Прекрасным дополнением к ДМЭ является спектроскопия Оже-электронов, которая позволяет обнаружить на поверхности присутствие чужеродных или примесных атомов. [44]

Предполагается, что в отношении эмиссии оже-электронов образец имеет бесконечную толщину. Если для каждого компонента измеряют несколько линий оже-спектра, им всем соответствует свое собственное уравнение этого вида. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5