Окисление - кремний
Cтраница 1
 |
Зависимость коэффициентов линейной и параболической составляющей скорости роста оксида кремния в сухом кислороде от уровня легирования бором ( 1 и фосфором ( 2, 3. [1] |
Окисление кремния в водяном паре происходит по следующему механизму. [2]
Окисление кремния и марганца приводит к образованию комплексных соединений - силикатов марганца, часть из которых всплывает на поверхность ванны и переходит в шлак, а часть в виде весьма мелких включений остается в шве. [3]
 |
Поперечный разрез здания кислородно-конверторного цеха с конверторами емкостью 100 - 130 т. [4] |
Окисление кремния заканчивается за первые 3 - 5 мин. Марганец окисляется одновременно, однако с меньшей полнотой, а затем частично вновь восстанавливается из шлака. [5]
Окисление кремния имеет важное значение в технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. [6]
Окисление кремния заканчивается за первые 3 - 5 мин процесса в зависимости от его концентрации в перерабатываемом чугуне. [7]
Окисление кремния осуществляется обычно при высокой температуре ( 1000 - 1200 С), поэтому процесс создания пленки S1O2 называют термическим окислением. Процесс окисления проводится в атмосфере кислорода или в смеси кислорода с парами воды ( иногда просто в парах воды), в диффузионных печах, через кварцевые трубы которых пропускается поток кислорода или пары воды, которые реагируют с кремнием в высокотемпературной зоне. Получаемая в результате пленка SiO2 имеет аморфную структуру. [8]
Окисление кремния происходит и в процессе анодной поляризации. Образующаяся на поверхности кремния р - и n - типа окисная пленка во многом определяет его электрохимические свойства. [9]
Окисление кремния, фосфора и водорода играет положительную роль в получении доброкачественных швов, без горячих трещин. [10]
Окисление кремния кислородом, содержащимся в оксидах железа шлака, происходит по реакции [ Si ] 2 ( FeO) ( Si02) 2 [ Fe ]; AG - 351 71 0 128 Т кДж / моль. [11]
 |
Ток утечки МОП-транзистора, изготовленного по КНС-тех-нологии ( канал n - типа, W50mkm, L50 мкм, VD5 В. 1-после эпитаксиального наращивания. [12] |
Окисление кремния играет важнейшую роль в технологии производства ИС. [13]
Окисление кремния является сложным процессом, включающим ряд физико-химических актов, таких как адсорбция, диффузия и др. Первая стадия этого процесса характеризуется непосредственным взаимодействием кремниевой монокристаллической пластины с окисляющим реагентом ( 0 %, НгО) и фактически является физической адсорбцией, быстро переходящей в химическую адсорбцию. Она экспоненциально зависит от времени окисления. После образования на поверхности кремния пленки толщиной 2 - 10 - 9 - 5 - Ю-9 м процесс окисления замедляется. [14]
Окисление кремния сопровождается оттеснением примесных атомов из пленки окисла в кремний, и фронт распределения примеси становится все более резким. [15]
Страницы: 1 2 3 4