Окрашивание - кристалл
Cтраница 2
Существенно, что при высоких интен-сивностях ( импульсы рубинового лазера) энергия, необходимая для окрашивания кристалла двухфотонным поглощением, в 100 раз ниже энергии, необходимой для создания аналогичного эффекта при обесцвечивании кристалла. [16]
Наконец, как утверждают Этцель и Шульман, Л - полоса не образуется при аддитивном способе окрашивания кристалла. [17]
 |
Типичная зависи - г. [18] |
Дополнительно установлено, что в ЩГК под действием сильного электрического поля возрастание плотности тока и электрическое старение сопровождаются окрашиванием кристаллов - появлением так называемых / - центров. Электропроводность окрашенных кристаллов ( в особенности фотопроводимость) резко повышается и носит электронный характер. [19]
 |
V-полосы поглощения в спектрах кристаллов КВг, рентгенизованных при комнатной температуре ( 75. [20] |
Однако полосы поглощения, аналогичные отдельным V-полосам, могут быть получены, если создать в кристалле стехио-метрический избыток галоида путем окрашивания кристаллов в парах галоида. Еще в работе Мольво [83] показано, что после соответствующей термической обработки кристаллов КВг и KJ соответственно в парах брома и иода в их спектрах возникают новые полосы поглощения, обусловленные стехиометрически избыточным галоидом. Таким образом отдельные V-полосы поглощения могут быть получены при окрашивании кристалла в парах галоида подобно тому, как отдельные полосы f - типа могут быть получены при окрашивании кристалла в парах щелочного металла. [21]
Отсюда, между прочим, видно, что вопрос о механизме возникновения этих нарушителей порядка в ионных кристаллах ( путем диссоциации решетки или же заглатывания их с поверхности) может быть решен наиболее просто исследованием кинетики процессов окрашивания кристаллов под влиянием освещения, а также последующего высвечивания. [22]
F-центр состоит из электрона, локализованного в кулоновском поле анионной вакансии. Окрашивание кристаллов обусловлено тем, что F-электроны при переходе с одного локального уровня на другой ( с Is на 2р уровень) поглощают квант энергии, соответствующий красной области спектра. Кристаллы, содержащие - центры, обладают повышенной проводимостью, так как часть - электронов в результате столкновения с фононами переходит с локальных уровней в зону проводимости. [23]
Появление темно-бурого окрашивания кристаллов FeSC) 4 указывает на образование нитрозокомплекса железа. [24]
Согласно изложенному, F-центры могут возникать в освещенном кристалле лишь при наличии в нем нарушителей порядка в виде дислоцированных ионов и ионных дырок. Отсюда следует, что окрашивание кристалла при низких температурах невозможно. Этот вывод подтверждается на опыте и имеет, в частности, существенное значение для фотографии, так как скрытое фотографическое изображение представляет собой не что иное, как совокупность / - центров, созданных благодаря предварительному освещению. Кажущееся нарушение его может иметь место в тех случаях, когда кристалл, подвергающийся освещению, был предварительно нагрет до высокой температуры и затем быстро охлажден ( закален) и если скорость установления равновесного числа дислоцированных ионов и ионных дырок в нем достаточно мала. [25]
Относительно аналогии между срастаниями и окрашиванием кристаллов при помощи введения красителя особенно рекомендуем см. Spangen-berg, A. Томсон ( G. P. Thomson [423], 61, 1948, 403 - 416; имеет значение главным образом стр. [26]
Итак, приведенные данные показывают, что основной причиной электрического старения и регенерации неорганических диэлектриков является изменение концентрации дефектов решетки, обусловливающее изменение электропроводности кристаллического диэлектрика. В случае щелочно-галоидных кристаллов такими дефектами являются, по-видимому, / - центры, подобные тем, которые возникают при окрашивании кристаллов в парах щелочного металла. В окрашенных / - центрами кристаллах появляется электронная составляющая электропроводности, за счет которой и происходит возрастание тока при электрическом старении щелочно-галоидных кристаллов. [27]
Фенол имеет резкий, характерный запах, кристаллизуется в бесцветные кристаллы. На воздухе и на свету фенол окрашивается сначала в розовый, а затем в красный цвет. Такие восстановители, как SnClz, препятствуют окрашиванию кристаллов фенола, а железо, медь, аммиак - усиливают. [28]
Однако полосы поглощения, аналогичные отдельным V-полосам, могут быть получены, если создать в кристалле стехио-метрический избыток галоида путем окрашивания кристаллов в парах галоида. Еще в работе Мольво [83] показано, что после соответствующей термической обработки кристаллов КВг и KJ соответственно в парах брома и иода в их спектрах возникают новые полосы поглощения, обусловленные стехиометрически избыточным галоидом. Таким образом отдельные V-полосы поглощения могут быть получены при окрашивании кристалла в парах галоида подобно тому, как отдельные полосы f - типа могут быть получены при окрашивании кристалла в парах щелочного металла. [29]
 |
Расчетные зависимости средней по цугу длительности ( ти и энергии ( W, нормированной на стационарное значение № Ст. от числа импульсов в цуге накачки М. [30] |
Страницы: 1 2 3