Cтраница 3
При накачке непрерывной последовательностью импульсов YAG: Nd3 лазера ( Р5 Вт, ти 100 пс, частота повторения - 100 МГц) он генерирует импульсы с длительностью 3 - 5 пс в области перестройки от 1 24 до 1 45 мкм. Активный элемент помещается в вакуумную камеру и работает при температуре 70 К; для окрашивания кристалла используется электронный пучок. В [35] аналогичный лазер создан на F % центрах в кристалле NaCl с диапазоном перестройки 1 35 - 1 75 мкм. [31]
Однако полосы поглощения, аналогичные отдельным V-полосам, могут быть получены, если создать в кристалле стехио-метрический избыток галоида путем окрашивания кристаллов в парах галоида. Еще в работе Мольво [83] показано, что после соответствующей термической обработки кристаллов КВг и KJ соответственно в парах брома и иода в их спектрах возникают новые полосы поглощения, обусловленные стехиометрически избыточным галоидом. Таким образом отдельные V-полосы поглощения могут быть получены при окрашивании кристалла в парах галоида подобно тому, как отдельные полосы f - типа могут быть получены при окрашивании кристалла в парах щелочного металла. [32]
Оберли [ 1361, исследуя фотопроводимость окрашенных кристаллов шелочно-галоидных соединений, также приходит к выводу о существовании двух видов F-центров. К одному виду относятся нестабильные или, по терминологии Оберли, мягкие F центры, способные обесцвечиваться и обусловливающие фотопроводимость. Ко второму виду относятся стабильные или жесткие F-центры, не способные к обесцвечиванию. Относительная концентрация мягких и жестких / - центров зависит от жесткости рентгеновского излучения, с помощью которого производится окрашивание кристалла. F-полоса рассматривается как результат наложения полос этих двух типов центров окраски. Это предположение может объяснить наблюдающееся при обесцвечивании небольшое смещение максимума F-полосы поглощения. [33]
Однако эти доказательства все же не дают возможности непосредственно обнаружить конечное фотохимич. Путем измерения спектров поглощения кристаллов щелочногалоидных солей было показано, что они обладают сильным поглощением в крайней ультрафиолетовой области ( начиная с А200 ти), причем кривые напр, для бромидов имеют чрезвычайно близкое подобие независимо от катиона щелочного металла. Последнее обстоятельство является прямым доказательством того, что поглощение в ультрафиолетовой области вызывается ионами галоида. Окрашивание кристалла при освещении указывает на появление новой полосы поглощения в видимой части спектра, причем поглощение здесь в 10 раз слабее, чем в ультрафиолетовой. Вторичный спектр поглощения позволяет подсчитать число центров, вызывающих окраску, а следовательно при сопоставлении с числом поглощенных чвантов света подсчитать также квантовый выход. Последний очень близок к 1 0, что указывает на выполнение фотохимического закона эквивалентности. [34]
Ниже 600 С смещение максимума диффузионного профиля даже при весьма продолжительном отжиге было малым и его трудно было оценить. С, когда проводимость кристаллов значительна. При этом для ( Ze) 3 ( ji были найдены значения ( 4 4 0 6) - 10 - 2е при 650 С и ( 4 0 1 4) - Ю-2 при 700 С. Вполне возможно, что значение Е заметно снижалось в примесной зоне. Было замечено, что если плотность тока, проходящего через ячейку, превышала 1 5 мА / см2, то происходило окрашивание прикатодного кристалла и вырастали дендриты. Кроме того, при продолжительном времени опыта происходило сильное размывание диффузионного профиля, и поэтому было трудно определить величину смещения его максимума. Приведенные примеры наглядно демонстрируют осложнения, легко возникающие при реализации подобных экспериментов. [35]