Cтраница 2
Оксиды металлов и особенно влага приводят к ускоренному разрушению графитовых анодов. [16]
Оксид металла растворяют в Na O. [17]
Оксид металла содержит 28 57 % кислорода, а соединение того же металла с фтором - 48 72 % фтора. [18]
Оксид металла, содержащий 70 % металла, полностью восстановили водородом. [19]
Оксиды металлов ( например, MgO, ZnO, CuO, Fe2O8, Cr20s, W03, Mo08, V206), сульфиды ( WS2, MoS2), являющиеся полупроводниками, модифицированные различными добавками. [20]
Оксиды металлов, более активных, чем Fe, водородом до металла не восстанавливаются. [21]
Оксид металла возвращается в цикл производства. Оксиды азота могут барбо-тироваться через воду с образованием азотной кислоты, потребляемой для растворения оксидов расщепляющихся материалов; аммиак в виде водного раствора используется для взаимодействия с нитратами радиоактивных элементов в описанном выше процессе, где в качестве побочного продукта образуется нитрат аммония. Таким образом, все побочные продукты и реагенты могут быть выделены и возвращены в процесс производства. [22]
Оксиды металлов по самой своей природе не способны выдерживать сколь-нибудь значительную деформацию. [23]
Оксиды металлов остаются в золе и в результате частичного присоединения оксидов серы образуют сульфаты. [24]
Оксиды металлов, которые подобным путем образуют основания, раньше называли основными ангидридами. [25]
Оксиды металлов в высоких степенях окисления ( V) - ( VII) также относятся к кислотным оксидам. [26]
S Удерживающая способность активированного угля. [27] |
Оксиды металлов, активированный глинозем или боксит отличаются даже несколько большим сродством к полярным молекулам. Поэтому эти материалы обычно используются для удаления: из газовых потоков водяных паров. Синтетические цеолиты, называемые иногда молекулярными ситами, представляют собой алюмосиликаты натрия или кальция, активированные нагреванием, при котором удаляется кристаллизационная вода. [28]
Оксиды металлов обычно относят к полупроводникам: их электропроводимость лежит между электропроводимостью изоляторов и металлических проводников. Электропроводимость оксидов возрастает при небольших изменениях стехиометрических пропорций металла и кислорода, а также при повышении температуры. Ион Си2 в оксиде Си2О является положительной дыркой. Модель решетки Си2О представлена на рис. 10.4, а. При окислении меди катионные вакансии и положительные дырки образуются на внешней поверхности О2 - оксида. Они мигрируют по направлению к поверхности металла, что эквивалентно миграции Си и электронов в обратных направлениях. [29]
Оксиды металлов остаются в золе и в результате частичного присоединения оксидов серы образуют сульфаты. [30]