Оксинитрид - кремний
Cтраница 2
С целью повышения стойкости футеровки шахты, распара и заплечиков в УкрНИИО разработаны карбидкремниевые огнеупоры на связке из нитрида кремния, оксинитрида кремния и самосвязанные. Характеристика карбидкремниевых огнеупоров, разработанных в УкрНИИО по ТУ 14 - 8 - 501 - 86, в сравнении с изделиями зарубежных фирм и изделиями по ГОСТ 10153 - 70 приведена в табл. ЗЛО. [16]
Таким образом, технический нитрид кремния представляет собой оксинитрид кремния и твердые растворы на основе Si3N4 и оксинитрида, так как имеет основную линию, максимум поглощения которой 1000 см-1, характеризующую оксинитрид кремния и два максимума в области 922 - 865 см-1 - соответствующих твердому раствору и нитриду кремния. При спекании нитрида кремния в засыпке из смеси порошков BN и Si максимум поглощения сдвигается в область 1070 - 950 см-1 и появляются две полосы с максимумами в области 580 - 435 см - - 1, что можно отнести к связям В - О. Очевидно, при спекании нитрида кремния в токе азота технической чистоты кремний, присутствующий в засыпке, в результате малой упругости его паров проникает в поры изделий и затем в среде азота превращается в нитрид. [17]
При легировании подрешетки кремния Si2N2O 5 р-примесями с увеличением их порядкового номера ( по группе) наблюдается резкое уменьшение доли ковалентности в химическом связывании примеси с атомами своего координационного полиэдра, что сопровождается существенными изменениями характера межатомных взаимодействий катионов кремния: ковалентность Si - О-связи резко возрастает с одновременным ослаблением связей Si-N, что в целом будет определять общее уменьшение стабильности данных систем в сравнении с исходным оксинитридом кремния. [18]
Такими покрытиями являются слои фос-форно-силикатного стекла, оксида, нитрида и оксинитрида кремния и поликремния, арсе-нид-фосфид индия, кремния, арсенида галлия. [19]
Нитрид кремния обладает более высокой химико-термической стабильностью, электрической прочностью, диэлектрической проницаемостью, маскирующей способностью. В системе Si3N4 - SiO2 возможно формирование широкого ряда химических соединений - оксинитридов кремния, что позволяет в необходимых пределах модифицировать свойства бинарных компонентов как с той, так и с другой стороны. [20]
Диэлектрические материалы применяют в микроэлектронике в качестве изоляционных покрытий и масок при диффузии и ионной имплантации, герметизирующих покрытий легированных пленок, предотвращающих выход легирующих элементов, герметизирующих слоев, защищающих поверхности приборов от внешних воздействий, для диффузии примесей из слоев легированных оксидов, а также для геттерирования примесей и дефектов. Наиболее перспективны для этих целей оксид и нитрид кремния, а также имеющие более узкое применение оксинитрид кремния и некоторые стекла. [21]
Из анализа свойств видно, что спекание изделий из карбида кремния и кремния в засыпке кокса происходит при более высокой температуре, чем в среде азота. Это связано с тем, что лишь часть кремния в образцах переходит в нитрид кремния вследствие недостаточного количества азота, а другая его часть одновременно переходит в кубический карбид кремния. Возможно также образование в небольших количествах кремнезема и оксинитрида кремния. [22]
 |
Изменение веса образцов при различных режимах спекания. [23] |
Авторы работы [8] указывают на преимущества механической прочности карборундовых изделий, содержащих в связке оксинит-рид кремния, перед изделиями на связке только из нитрида кремния. В этом интервале температур межатомные связи Si3N4 ослаблены и его окисление до оксинитрида кремния должно проходить легко. [24]
Если же образуются малорастворимые продукты, используют др. приемы, напр. Стойки к действию различных к-т неметаллические тугоплавкие соединения: карбиды бора и кремния, их нитриды, оксинитрид кремния, дисилициды переходных металлов IV-VI групп периодической системы элементов, их окислы. Среди порошков переходных металлов IV-VI групп периодической системы элементов наибольшая К. [25]
Страницы: 1 2