Зависимость - параметр - транзистор
Cтраница 1
Зависимость параметров транзистора от частоты является одним из основных факторов в определении пригодности транзистора для работы в электрической схеме. На низких частотах емкостное сопротивление этого перехода, равное 1 / со С, велико. [1]
Зависимость параметров транзистора от температуры, времени, режима и частоты и технологический разброс накладывают специфические требования на расчет и - принципы построения схем на транзисторах. Эти требования направлены на повышение надежности радиоэлектронной аппаратуры и сводятся к следующему. [2]
Зависимость параметров транзистора от температуры, времени, режима, частоты и технологический разброс определяют специфические требования к расчету и принципам построения схем на транзисторах. [3]
Зависимость параметров транзистора от температуры, времени, режима, частоты и технологический резброс определяют специфические требования к расчету и принципам построения схем на транзисторах. [4]
Зависимость параметров транзисторов от частоты обусловлена относительно большим временем движения ( пролета) носителей заряда в области базы и действием емкостей, шунтирующих переходы. [5]
Зависимость параметров транзистора от частоты определяется тем, что пути отдельных носителей заряда от эмиттера к коллектору различны, так же как и скорость их движения. [6]
Зависимость параметров транзистора от температуры, времени, режима и технологический разброс предъявляют специфические требования к расчету и принципам построения схем на транзисторах. Эти требования направлены на повышение надежности радиоэлектронной аппаратуры и сводятся в основном к следующим положениям. [7]
Зависимость параметров транзисторов от температуры, электрического режима и частоты, наличие технологического разброса параметров накладывают специфические требования на расчет и принципы построения схем на транзисторах. Эти требования направлены на повышение надежности работы схемы и сводятся к следующему. [8]
Линейные искажения определяются зависимостями параметров транзисторов от частоты и реактивными элементами усилительных устройств. [9]
Это обусловлено тем, что зависимости параметров транзисторов от температуры и режима питания на больших отрезках являются практически линейными, что следует из материалов первой главы. [10]
В результате получается так называемая косвенная зависимость параметров транзистора от температуры, в отличие от прямой зависимости тех же параметров от температуры при неизменной рабочей точке. [11]
Полученные: ранее соотношения (1.38) определяют зависимость параметров транзистора от режима при коллекторных токах порядка 0 5ч - 5 ма. [12]
 |
Ключи с общим эмиттером и общим коллектором. [13] |
Чтобы повысить точность получаемых результатов, следует учитывать зависимость параметров транзистора от режима. [14]
Кроме того, при малых токах коллектора увеличивается зависимость параметров транзистора от температуры и затрудняется осуществление температурной стабилизации схемы; сильно снижается крутизна характеристики, что приводит к снижению коэффициента усиления каскада. [15]
Страницы: 1 2 3