Зависимость - параметр - транзистор
Cтраница 2
 |
Статические характеристики транзистора ( а и перенапряженного режима ( 6, графики коэффициентов разложения импульсных токов ( в. [16] |
Слева от линии лежит область параметрического режима с резко меняющейся зависимостью параметров транзистора от режима работы, а справа - область допараметрического режима, которой присуще постоянство параметров транзистора. [17]
Многочисленные модификации указанных выше моделей, IB основном учитывающие зависимость параметров транзистора от режима, здесь не рассматриваются. [18]
С учетом сформулированных выше задач в первой главе исследуются зависимости параметров транзисторов от температуры и рабочего режима, влияние основных дестабилизирующих факторов на статические характеристики и собственные шумы транзисторов, а также методы создания благоприятного теплового режима функционирования транзисторов. [19]
Некоторые радиолюбители ( да и не только радиолюбители) не учитывали зависимость параметров транзисторов от температуры, не принимали во внимание, что в процессе длительной работы и хранения в бездействующем состоянии полупроводниковые приборы могут в некоторых пределах изменить свои параметры. Нередко радиолюбители использовали транзисторы в недопустимых режимах, что приводило к тому, что аппаратура работала ненадежно. Многие опубликованные в печати радиолюбительские схемы требовали индивидуального подбора транзисторов, что, с одной стороны, чрезвычайно усложняло их повторение, а с другой - приводило к тому, что через некоторое время аппаратура начинала плохо работать, так как параметры полупроводниковых приборов изменялись. [20]
В настоящее время имеется большое число публикаций, содержащих опытные данные о зависимости параметров транзисторов от отдельных дестабилизирующих факторов при фиксированных значениях интенсивности остальных воздействий. [21]
В соответствии с изложенным ранее примем, что на каждом из линейных участков зависимости параметров транзисторов от дестабилизирующих факторов ( колебаний температуры, коллекторного тока и напряжения на коллекторе) подчиняются закону равномерного распределения. [22]
Еще одной особенностью транзисторов, которую следует учитывать при проектировании схем, является зависимость параметров транзистора от температуры. Определяющее влияние на параметры транзистора имеет температура перехода, включенного в обратном направлении. Повышение нагрева перехода связано как с температурой окружающей среды, так и с мощностью рассеивания на переходе и с условиями отвода тепла от него. В зависимости от типа транзистора и от материала, из которого он изготовлен, можно указать предельную температуру, при которой транзистор теряет работоспособность. [23]
 |
Фазовый портрет автогенератора при С 230 пф. [24] |
Было построено несколько полных фазовых портретов транзисторного высокочастотного автогенератора в недонапряженном режиме при кусочно-линейной аппроксимации зависимости параметров транзистора от режима. [25]
В то же время, как показано в главе первой, имеются предпосылки для получения обобщенных аналитических представлений зависимостей параметров транзисторов от основных дестабилизирующих факторов. Эти предпосылки основываются на том, что при общности технологии производства и физических свойств материалов, из которых изготавливаются р-п и п-р переходы, сопротивления эмиттера, базы и коллектора, а также емкости переходов и характеристические параметры транзисторов различных типов имеют примерно идентичные зависимости от соответствующих дестабилизирующих факторов. [26]
Из приведенных рассуждений видно, что коэффициент v сот, который можно назвать коэффициентом частотного использования транзистора, полностью характеризует зависимость параметров транзистора от частоты. При отсутствии подходящих транзисторов допустима работа при 0 3 v 3 2, однако необходимо стремиться, чтобы на самой верхней частоте диапазона v было как можно меньше. Работа при v 3 2 не имеет практического смысла. [27]
Следует отметить, что определенные по характеристикам транзистора значения / г-параметров пригодны для расчетов только в области низких частот, где еще не проявляется зависимость параметров транзистора от частоты. [28]
О характере влияния температуры на работу нестабилизированной схемы можно судить по рис. 8 - 15, на котором приведены выходные характеристики германиевого транзистора в схеме ОЭ, снятые при двух различных положительных температурах. Изменение характеристик является следствием зависимости параметров транзистора от температуры. В ряде случаев приходится учитывать и температурные изменения сопротивления коллектора Дгк. [29]
К первой относятся изменения характеристик, вызываемые зависимостью параметров транзисторов от температуры. Вторая группа включает нестабильности, описываемые вероятностными законами. [30]
Страницы: 1 2 3