Зависимость - параметр - транзистор
Cтраница 3
 |
Семейство статических характеристик транзистора.| Графики коэффициентов разложения импульсных токов. [31] |
По ходу этой линии лежит область граничного режима работы генератора. Слева от этой линии лежит область параметрического режима с резко меняющейся зависимостью параметров транзистора от режима работы, а справа - область допараметрического режима, которой присуще постоянство параметров транзистора. [32]
Это явление, присущее УПТ прямого усиления, в которых сигнал постоянного тока усиливается непосредственно, без преобразования в сигнал переменного тока, и называемое дрейфом нуля, проявляется. Основными причинами дрейфа нуля являются: нестабильность напряжения питания, которым определяется режим транзистора по постоянному току; зависимость параметров транзистора и других элементов схемы от температуры окружающей среды; старение элементов и связанное с ним изменение их параметров. Эти причины объединяют общим названием - дестабилизирующие факторы. [33]
Практически на всех частотах существует воздействие выходных цепей на входные цепи через междуэлектродные сопротивления. Для уменьшения этого воздействия в схемах транзисторных усилителей предусматривают меры, повышающие устойчивость их работы. Велика зависимость параметров транзисторов от температуры. Это вынуждает принимать специальные меры для стабилизации режима работы уси; ительных каскадов, что усложняет их схемы. [34]
С-связыо определяются влиянием реактивных элементов цепей связи и смещения, а также частотными свойствами самого транзистора. Так как зависимость параметров транзистора от частоты проявляется только в области высоких частот, то удобно рассматривать работу усилителя отдельно на высоких и низких частотах. [35]
Специфической особенностью транзистора является зависимость его параметров от температуры и режима работы. Эту зависимость необходимо учитывать при выборе рабочей точки каскада и рассмотрении температурной нестабильности его коэффициента усиления. При этом особенно важно знать зависимость основ-ных параметров транзистора - g, S, гб, Сбк и г, наиболее сильно влияющих на показатели усилителя. [36]
Для анализа применен аппарат диаграмм срыва и смещения, достаточно полно разработанный применительно к исследованию ламповых и транзисторных автогенераторов на низких частотах. Учтена главная особенность транзистора на высокой частоте, а именно комплексность крутизны и входное сопротивление транзистора. Полученные результаты интерпретируются для случая кусочно-линейной аппроксимации зависимости параметров транзистора от режима. Строится фазовая плоскость транзисторного автогенератора для различных соотношений между постоянными времени колебательного контура и цепи автосмещения. [37]
Рекомендуемая в работе [10] и принятая здесь методика расчета дает сравнительно грубую оценку искажений формы сигнала в случае, когда сигнал нельзя считать малым. Характер переходного процесса при большом сигнале в значительной мере зависит от того, как изменяются параметры транзистора в пределах рабочего участка динамической характеристики. Очевидно, что большему сигналу соответствует и большее изменение параметров. Зависимость параметров транзистора от мгновенных значений тока и напряжения указывает на то, что оконечный каскад усилителя ( а иногда и предоконечный) следует рассматривать как каскад с заметной нелинейностью. В частности, в связи с указанной нелинейностью возникает некоторое различие в характере воспроизведения переднего и заднего фронтов усиливаемых импульсов. К настоящему времени методика инженерного расчета усилителя при большом сигнале еще не разработана, поэтому ограничиваются расчетом, носящим приближенный характер. [38]
Настоящее второе издание отличается от первого тем, что за счет второстепенного материала внесены дополнения и уточнения, облегчающие чтение учебника, а также проведена большая редакционная обработка материала. Переработаны § 2 - 3 Вольт-амперная характеристика р-тг-перехода, § 3 - 3 Импульсные диоды, § 4 - 1 Основные процессы в плоскостном бездрейфовом транзисторе. Коэффициент передачи тока эмиттера, § 4 - 2 Дифференциальные сопротивления переходов и емкости транзистора, § 4 - 5 Зависимость параметров транзистора от режима работы, температуры и частоты, § 4 - 10 Шумы транзистора § 9 - 3 Работа однокаскадного усилителя с ДС-связью при усилении гармонических сигналов, § 9 - 9 Коррекция характеристик усилителя с - RC-связью, § 11 - 1 Усилители с трансформаторной связью на транзисторах, § 12 - 5 Двухтактные выходные каскады класса В, § 17 - 2 Внутренняя обратная связь и ее нейтрализация и § 17 - 5 Генераторы LC на транзисторах. [39]
Схемы усилителей с использованием полупроводниковых триодов оказались более надежными, экономичными и достаточно простыми. Усилители выполняются одно - и многокаскадными. Многокаскадные дают значительно большее усиление, чем однокаскадные, и применяются при значительной интенсивности загрязнения электродов. Однако в электродных датчиках многокаскадные усилители практически применяют мало. Принцип действия многокаскадных усилителей основан на усилении постоянного тока при соприкосновении электро - - дов с контролируемой жидкостью. При большом коэффициенте усиления в схеме усилителя увеличиваются собственные шумы полупроводниковых триодов и неустойчивость работы усилителя. Значительным недостатком усилителей постоянного тока является изменение напряжения на выходе усилителя при постоянном и даже нулевом входном сигнале - так называемый дрейф нуля. Это вызывается тепловыми шумами и зависимостью параметров транзисторов от изменения температуры окружающей среды. В подобных усилителях выходной ток изменяется на 100 % при изменении температуры на 20 С. [40]
Страницы: 1 2 3