Определение - ориентировка
Cтраница 2
Метод, Лауэ, или метод неподвижного кристалла, используют для определения ориентировки кристаллов, симметрии кристалла, а также для выявления некоторых дефектов кристаллической структуры. [16]
 |
Индицирование точечных электронограмм по заданным индексам двух направлений ( или координатам двух узлов, не лежащих на одном направлении. [17] |
Знания индексов двух направлений в плоскости обратной решетки, достаточно для определения ориентировки кристалла. [18]
Кроме того, существуют специальные приборы - конометры и коноскопы - для определения ориентировки прозрачных кристаллов по коноскопическим картинам. [19]
 |
Схематическое изображение рентгенограммы вращения монокристалла. [20] |
Он применяется в основном для определения элементов симметрии кристаллов, а также для определения ориентировки плохо ограненных кристаллов. [21]
Углы погасания вообще крайне полезны для идентификации различных типов полевых шпатов, но только при условии определения ориентировки кристалла или зерна каким-либо способом. Наиболее важные случаи описаны в следующих параграфах. [22]
Определение С по точечной электронограмме может привести к значительной ошибке, однако это несущественно, если работа связана с определением ориентировок кристаллов известной структуры. [23]
 |
Вид коноскопической фигуры при объективах различной апертуры. [24] |
В целях экспрессного контроля изделий из кристаллов в Институте кристаллографии АН СССР разработаны различные конструкции дефектоконоскопов, которые служат для определения ориентировки пластинок и мелких деталей из кристаллов, а также для исследования их оптических аномалий. [25]
Определение ориентировки проводилось для обоих концов выращенного 30-сантиметрового монокристалла; различие углов % о на концах использованных кристаллов не превышало при этом нескольких градусов. В ряде случаев определялся лишь угол наклона плоскости скольжения % 0 - по линиям скольжения, либо по ориентировке плоскости хрупкого скола ( когда плоскость скольжения, как это имеет место для цинка, совпадает с плоскостью спайности - см. ниже, гл. [26]
 |
Связь между положением интерференционных максимумов эпиграммы и гномо-стереографическими проекциями плоскостей, вызвавших интерференцию. [27] |
Пересечениям гипербол соответствуют наиболее яркие пятна - отражения от плоскостей с малыми индексами. Для определения ориентировки необходимо построить гномостереографическую проекцию кристалла и совместить ее со стандартной сеткой. [28]
 |
Расположение плоского элемента структуры ( когерентной границы двойника, дефекта упаковки в фольге. [29] |
В тех случаях, когда искомая плоскость или направление наклонны к поверхности фольги ( рис. 20.35), для индицирования следует воспользоваться стереографическими или гномостереографическими проекциями. После определения ориентировки фольги и построения гномо-стереографических проекций отражающих плоскостей ( плоскость проекции перпендикулярна оси прибора) следует нанести на круг проекции искомое направление или нормаль к искомой плоскости в виде линии ОС ( рис. 20.35), совмещая данное направление на микрофотографии с центром круга проекции и учитывая угол поворота микроскопического изображения относительно электронограммы. Эта линия является ортогональной проекцией искомого направления, а на данной плоскости проекция представляет геометрическое место точек стереографических проекций направлений, проектирующихся на микрофотографии в виде одной и той же линии. Индексы анализируемого направления определяют из индексов точек, расположенных на линии ОС с помощью стандартной проекции, соответствующей оси зоны. [30]
Страницы: 1 2 3