Cтраница 1
Оптотиристоры обладают повышенной помехоустойчивостью, так как их цепь управления гальванически развязана с сильноточной анодной цепью. [1]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в один корпус. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе. [2]
Тиристор оптронный ( оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. [3]
Тиристор оптронный ( оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является медное основание. Обозначение типо-номинала и полярности выводов и выводов диода приводится на корпусе. [4]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления ( излучающего диода) приводится на корпусе. [5]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два лголулроводнико & ых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчиаых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкцит-и с жесткими силовыми выводами. Обозначение тмпономинала и полярности выводов м ямводов управления излучающего дшзда) приводится на корпусе. [6]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаляиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного м переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в метаялостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления излучающего диода) приводится на корпусе. [7]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-л-р-л. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенид-галлиевый излучающий диод - объединены в один корпус. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов приводится на корпусе. [8]
Тиристор оптронный ( оптотиристор) кремниевый диффузионный р - n - р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенид-галлиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускается в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является медное основание. Обозначение типономи-нала и полярности выводов диода приводится на корпусе. [9]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенид-галлиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов и выводов управления ( излучающего диода) приводится на корпусе. [10]
Тиристоры оптронные ( оптотиристоры) кремниевые диффузионные р-д-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенид-галлиевый излучающий диод, объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Обозначение типономинала и полярности силовых выводов и выводов управления ( излучающего диода) приводится на корпусе. [11]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение ти-пономинала приводится на корпусе. [12]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной, силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение ти-пономинала приводится на корпусе. [13]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для приме-г нения в цепях постоянного и переменного токов частотой д0) 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение ти-пономинала приводится на корпусе. [14]
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. [15]