Cтраница 3
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КПТ-8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [31]
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КПТ-8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [32]
На рис. 9.26 показаны еще несколько вариантов схем в продолжение темы светодиод - фототранзистор. Элемент IL252 содержит пару встречно-включен-ных светодиодов, поэтому им можно управлять переменным током. Элемент НПС4 - ЭТО оптотиристор, удобный для переключения высоких напряжений и больших токов. [33]
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КЛТ-&. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен лроходиггь. При эксплуатации оптотирисгаров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [34]
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КПТ-8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [35]
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристо-ров р-п - - р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнер гии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведуших частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подклю чения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. [36]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотирнсто-ров р-п - р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. [37]
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. [38]