Cтраница 2
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. [16]
А изображена на рис. 12.20. В отличие от тиристора оптотиристор имеет два управляющих вывода, связанных с электродами диода-излучателя ДИ, который располагается непосредственно у поверхности кремниевой структуры. [17]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. [18]
Симисторы, тиристоры, проводящие в обратном направлении, тиристоры-диоды, фототиристоры, оптотиристоры и запираемые тиристоры будут рассмотрены нами в гл. [19]
Оптоэлектронные пары, состоящие из светоизлучаю-щего диода и фототиристора или фотосимистора, получили название оптотиристоров или оптосимисторов. Рассмотрим вначале более простые системы: фотодиоды и фототранзисторы, изучение которых необходимо для более глубокого понимания физических процессов в многослойных структурах с р-п переходами. [20]
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономи-нала и схемы соединения полупроводниковых элементов приводится на корпусе. [21]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. [22]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цель управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. [23]
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. [24]
Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения полупроводниковых элементов приводится на корпусе. [25]
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КЛТ-&. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен лроходиггь. При эксплуатации оптотирисгаров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [26]
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КПТ-8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [27]
Первые управляются ( включаются) внешним электрическим сигналом по управляющему электроду. Фототиристоры управляются с помощью внешнего светового сигнала, а оптотиристоры - с помощью внутреннего светового сигнала от светодиода, встроенного в корпус тиристора. [28]
Следует отметить, что мощность излучения арсенид-галлиевых излучающих диодов оказалась достаточной для запуска р-п-р-п и п-р-п-р - п структур тиристоров и симисторов при расположении диодов непосредственно у поверхности структур. Под оптотиристором ( оптосимистором) понимается оптоэлектронная пара, состоящая из излучающего диода и фоточувствительной р-п-р-п ( п-р-п-р - п) структуры, которые заключены в общий корпус таким образом, что между диодом и структурой обеспечивается гальваническая развязка с необходимым напряжением пробоя изоляции. [29]
Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3 2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КЛТ-&. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0 03 мм не должен лроходиггь. При эксплуатации оптотирисгаров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора. [30]