Температурная зависимость - параметр
Cтраница 1
Температурная зависимость параметров в основном обусловливается изменением характера проводимости полупроводниковых материалов и соответственным изменением свойств электронно-дырочных переходов. [1]
Температурная зависимость параметров Гранта и Пола, полученная из спектров ЯМР 13С полимеров. [2]
Температурная зависимость параметров решетки в ромбоэдрической модификации подробно еще не изучена. [3]
Температурная зависимость параметров полевого транзистора, по сравнению с биполярным транзистором, практически мало заметна. В целом температурный коэффициент значительно лучше, чем у биполярного, и обычно не превышает 0 2 % на 1 К - Кремниевые полевые транзисторы могут успешно работать при / 125 С. В связи с перечисленными преимуществами полевые транзисторы, особенно МДП-транзисторы, являются весьма перспективными активными элементами. [4]
Температурная зависимость параметров полевого транзистора по сравнению с биполярным транзистором практически малозаметна. В целом температурный коэффициент значительно лучше, чем у биполярного, и обычно не превышает 0 2 % на 1 К. В связи с перечисленными преимуществами полевые транзисторы, особенно МДП-транзисторы, считают весьма перспективными активными элементами. [5]
Температурная зависимость параметров полупроводникового триода часто рассматривается с точки зрения ширины запрещенной зоны и удельного сопротивления материала. Если это делается без должной осторожности, то возможны серьезные ошибки, так как при этом легко упустить из рассмотрения ряд существенных факторов. Из характеристик следует также, что абсолютная величина изменения 1СО для данного изменения температуры много меньше для кремния, чем для германия. [6]
Учитывалась температурная зависимость параметра wl - вводился параметр Аг / гон - энтальпия взаимообмена. [7]
Однако температурные Зависимости параметров транзисторов ( кроме теплового тока) заводом-изготовителем не гарантируются. Наконец, в расчетах нередко используются такие параметры, значения которых вообще не гарантируются при выпуске транзисторов и часто даже не Приводятся в справочниках. К таким параметрам относятся напряжения на переходах в режиме насыщения, разброс входных характеристик, инверсные параметры транзисторов, объемные сопротивления эмиттера и коллектора и многие другие. [8]
 |
Влияние Гисп на параметры О0 ( а и К ( б свинца при vi я степени деформации. [9] |
Рассмотрим температурные зависимости параметров ао и К, представленные на рис. 4.8 для разных степеней и минимальной скорости деформации. Видно, что с ростом Гисп оба параметра уменьшаются, что приводит к снижению овн с температурой. Однако в характере зависимостей во ( Т) и К ( Т) имеются свои особенности, отражающие их физическую суть. Температурная зависимость параметра К наиболее сильно выражена при малом е, ослабевает с его увеличением и уже при 6 5 % полностью отсутствует. [10]
Учет температурных зависимостей параметров приводит к существенному отклонению оптимальной последовательности температур от последовательности, рассчитанной из условия постоянства Z ( T) и М ( Т) У и выигрышу в экономичности, тем более значительному, чем ближе покаскадные перепады температур к своим максимально возможным значениям. [11]
Учет температурных зависимостей параметров приводит к существенному отклонению оптимальной последовательности температур от последовательности, рассчитанной из условия постоянства Z ( T) и М ( Г), и выигрышу в экономичности, тем более значительному, чем ближе покаскадные перепады температур к своим максимально возможным значениям. [12]
Исследование температурной зависимости параметров является одним из методов анализа процессов, происходящих в полупроводниковых четырехслойных диодах. Здесь следует отметить, что и до настоящего времени нельзя считать достаточно полно изученными процессы и закономерности, определяющие свойства и параметры четырехслойных диодов. Такие исследования представляют особый интерес при разработке новых типов приборов и выборе режимов их эксплуатации. [13]
Изучение температурной зависимости параметров решеток а -, Р -, у -, 6-модификаций марганца в температурном интервале от 20 до 1500 С показало, что на кривых зависимостей удельных атомных объемов от температуры имеются небольшие положительные скачки в точках образования высокотемпературных модификаций. На рис. VIII, 10, в приведена кривая температурной зависимости атомного объема Р -, у - и 6-модификаций марганца. Видно, что с увеличением температуры уменьшается плотность упаковки структур Р -, у - и 6-модификаций и каждая из модификаций имеет различную величину коэффициента теплового расширения. [14]
Определение температурных зависимостей параметров транзистора автогенератора и индуктивности колебательного контура позволяет оценить температурную погрешность и определить условия ее уменьшения. [15]
Страницы: 1 2 3 4