Cтраница 3
На рис. 4.13 приведены температурные зависимости параметров OQ и К для сплава РЬ 0 03 % Те, концентрация теллура в котором близка к пределу растворимости при 300 К. На зависимости Оо ( Т) для малых е наблюдается, как и для сплавов РЬ - Sn, аномалия, но выраженная в меньшей степени. Абсолютные значения OQ за пределами аномалии для сплава РЬ - Те значительно выше, чем для свинца. Из сравнения зависимостей К ( Т) ( рис. 4.8 6 и 4.13 6) видно, что во всем температурном интервале абсолютные значения К для сплава значительно ( в 3 - 5 раз) выше, чем для свинца. [31]
![]() |
Зависимость величины параметра решетки алюминия от концентрации растворенных элементов - марганца ( а, кремния, кадмия и бериллия ( б, лития, цинка и меди ( в, магния ( г. [32] |
В табл. 220 приведена температурная зависимость параметра решетки алюминия ( 99 99 %) по данным Фиггинса [4] для отрицательных температур и по данным Вильсона [5] для повышенных температур. [33]
Другим способом ослабления влияния температурной зависимости параметров электролитических конденсаторов на коэффициент усиления каскада является включение последовательно с конденсатором сопротивления порядка ЮОч-200 ом. В результате уменьшается относительное изменение суммарного сопротивления эмит-терной цепочки. Однако при этом в каскаде возникает отрицательная обратная связь по переменному току, которая уменьшает коэффициент усиления. [34]
Сюда входят также составляющие, обусловленные температурной зависимостью параметров элементов и их старением. Эти составляющие не связаны со свойствами собственного усилителя, поэтому здесь не будем останавливаться на их анализе. Снижение погрешности ниже 0 01 % на частотах свыше 10 кгц сопряжено уже с большими трудностями особенно из-за нестабильности емкости конденсаторов и наличия паразитной распределенной емкости у резисторов. [35]
Рисунок 6 - 6 дает представление о температурной зависимости влажностных параметров для полиметилметакрилата. [37]
Параметрические способы температурной стабилизации основаны на подборе температурных зависимостей параметров рабочего и компенсирующего элементов. [38]
Интересно отметить, что уравнение (10.21) описывает температурную зависимость параметра дальнего порядка т при наличии взаимодействия в произвольном числе координационных сфер. [39]
Величина ( 1РВЪ1Я / с1Т2 определяется как температурной зависимостью параметров транзистора, так и параметрами схемы. Схема может содержать элементы, обеспечивающие определенную стабилизацию рабочей точки с температурой, а может и не содержать таких элементов. [40]
![]() |
Два способа достижения квадратичности преобразования при использовании составных нагревателей.| Преобразователь с тепловым шунтом 1. [41] |
Отклонения от квадратичности преобразования в основном обусловлены температурными зависимостями параметров материала нагревателя и термопары и изменениями условий теплообмена при изменении температуры нагревателя. [42]
Однако в том случае, когда не учитывается температурная зависимость параметров для описания равновесий жидкость-жидкость - пар, целесообразно использовать один набор параметров. [43]
Коэффициент усиления каскада изменяется не только в результате температурной зависимости параметров транзистора и его режима работы. Значительное влияние на его нестабильность оказывает изменение параметров электролитических конденсаторов при изменении температуры. В значительно больших пределах изменяется омическое сопротивление г, на которое оказывает сильное влияние изменение вязкости электролита конденсатора при изменении температуры. [44]
С до - 196 С) нельзя объяснить только температурной зависимостью параметров молекул, так как смещения спектров паров обычно невелики. Экспериментальные факты удается интерпретировать, учитывая температурные изменения электронных уровней. Учтя эти факторы и использовав формулу (3.19), можно рассчитать кривые температурных смещений спектров ( они аналогичны кривым, изображенным на рис. 22) и показать, что в середине низкотемпературного коротковолнового сдвига полосы испускания величины тг и т близки. [45]