Температурная зависимость - параметр
Cтраница 2
Чем определяется температурная зависимость параметров транзистора. [16]
Для определения температурной зависимости параметров реакций образования гомологов простое сравнение в той HJJH другой степени применимо только для расчета теплот образования и связанных с ней величин, но не для ASf, AGf и Ig Cf. [17]
Для определения температурной зависимости параметров реакций образования гомологов простое сравнение в той или другой степени применимо только для расчета теплот образования и связанных с ней величин, но не для ASf, AGj и lg Kf - При расчете ДЯ можно пользоваться и допущением о постоянстве разностей, и допущением о постоянстве отношений. Оба они дают в этом случае довольно значительную погрешность, но первый путь обычно несколько точнее, и в дальнейшем здесь можно ограничиться в основном иллюстрацией метода разностей. В табл. VII, 13 сопоставлены теплоты образования ДЯ алканов. [18]
Как правило, температурные зависимости параметров xt имеют нелинейный характер. [19]
Рассмотрены методы расчета температурной зависимости параметров адсорбционных равновесий: по термическим уравнениям, по инвариантности характеристических кривых, по линейности изостер адсорбции. Предпочтение отдается последнему методу. [20]
Показаны возможности использования температурной зависимости параметров различных полупроводниковых приборов для построения датчиков температуры. [21]
Таким образом, если температурная зависимость параметра а известна, то прогнозирование длительной прочности сг для заданной температуры вполне осуществимо. [22]
Другим источником погрешностей является температурная зависимость параметров схемы ( емкости и сопротивлений), что следует иметь в виду при использовании приборов этого типа. [23]
На рис. 4.35 показана температурная зависимость параметров четырехполюсника. [24]
 |
Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного полупроводниковому триоду, от температуры. [25] |
На рис. 5.32 показана температурная зависимость параметров четырехполюсника, объяснить которую можно так же, как и температурные изменения собственных параметров полупроводникового триода. [26]
 |
Зависимости параметров.| Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного транзистору, от температуры. [27] |
На рис. 2.36 показана температурная зависимость параметров четырехполюсника. [28]
 |
Зависимости параметров физической эквивалентной схемы транзистора ог температуры.| Зависимости Л - параметров транзнсторй от температуры. [29] |
На рис. 4.35 показана температурная зависимость параметров четырехполюсника. [30]
Страницы: 1 2 3 4