Температурная зависимость - удельное сопротивление
Cтраница 1
Температурная зависимость удельного сопротивления заметно отличается от обычной зависимости, наблюдающейся в переходных и непереходных металлах, и может быть с точностью до 1 % описана во всем диапазоне температур путем добавления экспоненциального члена в обычную формулу для сопротивления. Измерялись также нестехиометрические образцы ( с избытком ниобия) в диапазоне температур от 18 до 373 К - Они характеризуются такой же зависимостью удельного сопротивления от температуры, хотя остаточное сопротивление оказалось в четыре раза большим. Полученные данные свидетельствуют о том, что аномалия удельного сопротивления объясняется свойствами энергетических зон Nb3Sn с решеткой типа р-вольфрама; сопротивление слабо зависит от небольших изменений в числе электронов, приходящихся на один атом, и от присутствия атомов ниобия на месте атомов олова. [1]
Температурная зависимость удельного сопротивления изучена для нескольких образцов. [2]
Температурная зависимость удельного сопротивления поликристаллических графитов имеет в области температур, больших 1000 К, положительную производную. [3]
Температурная зависимость удельного сопротивления неграфитирующихся материалов характеризуется падением сопротивления с температурой. [4]
Температурная зависимость удельного сопротивления спрессованного поликристалла ДФПГ хорошо подчиняется уравнению Ар-рениуса с энергией активации проводимости As - 0 26 эв. Принято считать, что проводимость органических полупроводников связана с подвижностью я-электронов молекул, причем с ростом числа я-электронов энергия активации проводимости уменьшается. Высказано предположение [16], что энергия активации соответствует той энергии, которая необходима для возбуждения электрона с верхней связывающей орбиты на нижнюю разрыхляющую. Такой электрон может переходить от одной молекулы к другой по туннельному механизму с нулевой или близкой к нулю энергией. Точно так же должна двигаться дырка, образовавшаяся на верхней связывающей орбите. В этом случае Де должно быть близким к энергии оптических переходов между этими молекулярными орбитами, а величина проводимости должна быть чувствительной к свету в той области спектра, которая совпадает с частотой оптических переходов. [5]
Температурная зависимость удельного сопротивления электронного и дырочного германия, легированного никелем, свидетельствует о том, что введение никеля в германий вызывает появление двух акцепторных уровней, из которых один отстоит на 0 22 0.01 аи от потолка валентной зоны, а другой-на 0 30 f 0 02 ев от дна зоны проводимости. Значения энергии ионизации, полученные из исследования инфракрасной фотопроводимости при 77 К, согласуются с найденными из измерений удельного сопротивления. Образцы n - типа проявляют более высокую фоточувствительность, чем дырочные; в них обнаруживается также эффект гашения тока. [6]
 |
Зависимость удельного сопротивления поликристаллических графитов от объемного веса для различных температур измерения. [7] |
График температурной зависимости удельного сопротивления для этого материала приведен на рис. 11 вместе с графиками для поли-кристаллических графитов. Как характер температурной зависимости, так и абсолютная величина удельного сопротивления совпадает с таковыми для промышленных графитов. Следовательно, влияние химического состава на характер температурной зависимости удельного сопротивления при высоких температурах незначителен, и полученные нами величины характеризуют структуру материала. [8]
При изучении температурных зависимостей удельного сопротивления и температурно-частотных зависимостей tg6 кристаллов искусственного кварца, подвергнутого воздействию постоянного электрического поля при повышенных температурах ( электролизу), установлено следующее. [10]
На основании анализа температурных зависимостей удельного сопротивления перечисленных оксидов можно предсказать, что использование электромагнитных полей с частотой 105 - т - 107 Гц позволит получить описанным способом карбиды таких элементов, как Mg, A1, Si, Ti, Sc, Mn, Y, Zr, La, других редкоземельных металлов, а также Та, W, Bi, Th и, возможно, карбиды урана. [11]
На основании анализа температурных зависимостей удельного сопротивления перечисленных оксидов можно предсказать, что использование электромагнитных полей с частотой 105 - т - 107 Гц позволит получить описанным способом карбиды таких элементов, как Mg, A1, Si, Ti, Sc, Mn, Y, Zr, La, других редкоземельных металлов, а также Та, W, Bi, Th и, возможно, карбиды урана. [12]
Можно объяснить наблюдаемую температурную зависимость удельного сопротивления и плотности как результат известной диссоциации HgTe при плавлении с образованием раствора или смеси HgTe, ртути и теллура, где содержание ртути и теллура известно. Дальнейший подъем температуры приводит к быстрому разложению сохранившегося соединения HgTe, которое выражается в резком падении сопротивления. Итак, HgTe, этот своеобразный представитель соединений типа АПВ Г может служить примером вещества с чрезвычайно специфическим изменением свойств и структуры при плавлении. [13]
Можно объяснить наблюдаемую температурную зависимость удельного сопротивления и плотности как результат известной диссоциации HgTe при плавлении с образованием раствора или смеси HgTe, ртути и теллура, где содержание ртути и теллура известно. Дальнейший подъем температуры приводит к быстрому разложению сохранившегося соединения HgTe, которое выражается в резком падении сопротивления. [14]
В табл. 26 приведены температурные зависимости удельного сопротивления этих электролитов. [15]
Страницы: 1 2 3 4