Температурная зависимость - удельное сопротивление
Cтраница 4
Основным материалом для изготовления полупроводниковых тензорезисторов в настоящее время является кремний. Это объясняется не только тем, что кремний лучше других полупроводников удовлетворяет перечисленным требованиям для изготовления тензорезисторов, но и тем, что свойства кремния исследованы наиболее детально, налажена промышленная технология получения однородных монокристаллов кремния е малым числом дефектов, что, в свою очередь, позволяет выбирать материал с нужными параметрами и известиой температурной зависимостью удельного сопротивления, а также облегчает создание невыпрямляющих контактов. [46]
 |
Удельное сопротивление различных огнеупорных окисей при высоких температурах. / - лучшая из известных окись тория. 2 - обычная окись тория. [47] |
При температурах выше 1900 С давление паров рения становится достаточно высоким для заметной потери вещества, если термопара работает в вакууме. Для большинства промышленных применений используются термопары с неорганической изоляцией ( Ml) из окиси бериллия или окиси магния и танталовыми или молибденовыми чехлами. На рис. 6.10 показаны температурные зависимости удельного сопротивления этих и других изолирующих материалов. [48]
При нагревании в атмосфере тетрафторида кремния фторфлогопит разлагается очень медленно. При выдержке пластин слюды ( 71480 К) в токе SiF4 в течение 1 ч видимых изменений в кристаллах слюды не обнаруживается даже при микроскопических исследованиях. По результатам сравнительного изучения температурных зависимостей удельного сопротивления образцов фтор-флогопита, предварительно подвергнутых нагреву в атмосфере водорода и фторида ( рис. 26), установлено, что термообработка слюды в токе SiF4 даже несколько улучшила ее диэлектрические свойства по сравнению с исходным образцом, а нагрев в водороде привел к полному разрушению фторфлогопита и, следовательно, к резкому ухудшению диэлектрических характеристик во всем исследованном диапазоне температур. [49]
 |
Температурная зависимость удельного электросопротивления для неграфити-рующего материала АО-600 различной чистоты. [50] |
Часть углеродных материалов, кроме того, несмотря на высокие температуры прокалки, вообще не переходит в графитированное состояние, по крайней мере, гомогенно. Так, на рис. 6 приведена температурная зависимость удельного электросопротивления для промышленного неграфитирующегося материала АО-600. Для сравнения там же приведен график температурной зависимости удельного сопротивления для неграфитирующегося материала высокой степени чистоты. [51]
График температурной зависимости удельного сопротивления для этого материала приведен на рис. 11 вместе с графиками для поли-кристаллических графитов. Как характер температурной зависимости, так и абсолютная величина удельного сопротивления совпадает с таковыми для промышленных графитов. Следовательно, влияние химического состава на характер температурной зависимости удельного сопротивления при высоких температурах незначителен, и полученные нами величины характеризуют структуру материала. [52]
Это связано, по-видимому, с тем, что потенциальная энергия связи атомов одного сорта больше, чем атомов разного сорта. Следовательно, взаимное смешение компонентов не может идти до конца. В последнее время Гайбуллаевым и Регелем [ 51, на основе анализа температурной зависимости удельного сопротивления многих жидких эвтектических систем, высказано аналогичное предположение. [53]
Результаты измерения показывают весьма сильное влияние графитации на электропроводность материала. При упорядочении структуры изменяется как абсолютная величина сопротивления, так и сам характер температурной зависимости удельного сопротивления. По мере повышения температуры величина производной стремится к нулю. Абсолютная величина сопротивления материала при этом-монотонно падает. Отметим также, что изменение величины производной dp / dT происходит также постоянно без пиков и скачков. [54]
Основными материалами для изготовления полупроводниковых тензорезисторов в настоящее время являются кремний и германий. Это связано не только с тем, что кремний и германий лучше других полупроводников удовлетворяют перечисленным требованиям для изготовления тензорезисторов. В основном это объясняется тем, что свойства кремния и германия исследованы более детально, налажена промышленная технология получения однородных монокристаллических слитков с малым числом дефектов, что, в свою очередь, позволяет выбирать материал с нужными параметрами и известной температурной зависимостью удельного сопротивления, а также облегчает создание невыпрямляющих контактов. [55]
Страницы: 1 2 3 4