Температурная зависимость - удельное сопротивление
Cтраница 3
Температурная зависимость выходного напряжения преобразователя Холла обусловлена температурной зависимостью коэффициента Холла с температурным коэффициентом Лд и температурной зависимостью удельного сопротивления с температурным коэффициентом Ар. [31]
Зависимость сопротивления различных позисторов от температуры показана на рис. 10.7. При относительно малых и больших температурах температурные характеристики позисторов соответствуют температурным зависимостям удельного сопротивления обычных ионных полупроводников, т.е. в этих диапазонах температур позисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления. [32]
 |
Зависимость напряжения искрения анодов, формованных при 525 в, от содержания аммиака в рабочем электролите. [33] |
Влияние добавок аммиака в 5 % раствор борной кислоты на удельное объемное сопротивление раствора представлено на рис. 57, на котором приведены температурные зависимости удельного сопротивления таких растворов с различными добавками 28 % раствора аммиака на 100 см3 раствора. [34]
Для зависимости тока утечки от температуры также характерно резкое увеличение тока с повышением температуры причем из рис. 86 видно, что в морозостойких конденсаторах, в которых применяются рабочие электролиты с меньшей температурной зависимостью удельного сопротивления, наблюдается и менее резко выраженная зависимость тока утечки от температуры. [36]
Показано, что присутствие кобальта в расплаве германия, из которого выращиваются кристаллы, вызывает появление в германии двух акцепторных уровней. Из температурной зависимости удельного сопротивления следует, что эти уровни расположены на расстояниях 0 25 0 01 эе от потолка валентной зоны и 0 31 0 01 эе от дна зоны проводимости. Измерения постоянной Холла показывают, что температурная зависимость подвижности в легированных кобальтом высокоомных кристаллах согласуется с результатами прежних измерений подвижности в очень чистых кристаллах я и / г-типа. При 300 К глубокие уровни кобальта в германии проявляют себя как центры рекомбинации. [37]
С присутствием железа в расплаве, из которого выращен кристалл германия, оказались связанными два типа локальных уровней. Согласно измерениям температурной зависимости удельного сопротивления, эти уровни расположены соответственно на 0 27 0 02 эв ниже зоны проводимости и на 0 34 0 02 эв выше валентной зоны. В образцах п - и р-типа, сопротивление которых благодаря легированию железом очень сильно возрастает при понижении температуры, подвижность носителей тока в том же интервале температур меняется по такому же закону, как и в чистых высокоомных образцах германия. Так как само железо не обладало необходимой чистотой и не было уверенности в том, что количество введенных в расплав вместе с железом донорпых или акцепторных примесей меньше 2 - 1013см - а, мы по могли с достоверностью решить, какого типа уровни ( доноры или акцепторы) характерны для самого железа. [38]
Упомянутые выше структурностабильные стеклообразные материалы ( тип А), в которых структура не меняется в процессе работы прибора, можно встретить среди трехмерных поперечноувязанных халькогенидных стеклообразных сплавов ( например, системы Si - Ge - As - Те), а также среди оксидных полупроводниковых стекол. На рис. 149 показана температурная зависимость удельного сопротивления и кривая дифференциального термического анализа структурностабильного материала. Отсутствие пиков на кривой ДТА и изломов на кривой удельного сопротивления показывает отсутствие структурных изменений в материале. [39]
Сернистый кадмий - полупроводник обычно га-типа. На рис. 25 - 9 приведена температурная зависимость удельного сопротивления образцов, полученных при нагревании серы в парах кадмия при температуре 900 С. С увеличением давления паров сопротивление, как правило, заметно уменьшается. [41]
Было исследовано 8 таких образцов, вырезанных из различных кристаллов. Значения энергии, определяемые наклонами кривых температурной зависимости удельного сопротивления, лежат в пределах от 0 21 до 0 23 вв. [42]
Температурная зависимость сопротивления является основной характеристикой терморезистора, в значительной мере определяющей остальные характеристики этих изделий. Характер изменения сопротивления при этом аналогичен температурной зависимости удельного сопротивления полупроводникового материала, из которого изготовлен терморезистор. [43]
Температурная зависимость сопротивления является главной характеристикой термосопротивлений. Естественно, что она совпадает с температурной зависимостью удельного сопротивления полупроводника, из которого изготовлено данное термосопротивление. Эта зависимость в значительной степени определяет остальные характеристики ТС. [44]
Электропроводность кремния, как и германия, очень сильно зависит от присутствия примесей. На рис. 8 - 21 приведена зависимость удельного сопротивления электронного и дырочного кремния от концентрации носителей заряда, а на рис. 8 - 22 - температурная зависимость удельного сопротивления для электронного кремния. Аналогичные кривые получаются и для кремния с дырочной электропроводностью. [45]
Страницы: 1 2 3 4