Температурная зависимость - ширина
Cтраница 3
При уменьшении концентрации воды в полимере низкотемпературный минимум смещается в область более высоких температур, что соответствует все более заторможенному движению протонов. Характер температурной зависимости ширины спектральной линии в области выше 250 К, вероятно, соответствует другому типу движения - пространственной самодиффузии. [31]
Если увеличить энергию решетки, замещая крупные внешне-сферные катионы более мелкими, величина FBHCinH ( главным образом определяемая электростатическими взаимодействиями) возрастет, в то время как FBHyTp останется неизменным. Анализ температурной зависимости ширины спектра ЯМР, очевидно, в этом случае позволит ответить на вопрос, имеет ли место тесная корреляция конформационного и реориентационного движений независимо от энергии решетки. [32]
При изучении термической деструкции поликарбоната в5, проводившейся в вакууме при 500 С, были сняты спектры ЯМР исходного полимера и остатка после деструкции в широком интервале температур. Сравнение кривых температурной зависимости ширины линий обоих образцов ( рис. 147) показывает, что для твердого остатка после деструкции сужение линии в области от - 150 до - 50 С, обусловленное вращением СН3 - групп, выражено гораздо слабее, чем в исходном полимере. При всех температурах выше чем - 100 С деструкти-рованный образец дает более широкую линию ЯМР; сужение линии не происходит вплоть до 210 С. Еще нагляднее уменьшение числа СН3 - групп в поликарбонате проявляется в изменении формы линии ЯМР при температуре - 196 С. [33]
Можно считать, что ширина линий в спектрах исследованных олигомеров определяется главным образом видом и скоростью молекулярного движения. Это подтверждает и явная температурная зависимость ширины отдельных линий, обусловленная возрастающей ролью дипольных взаимодействий при охлаждении образцов. [34]
Переходы между соседними холловскими плато происходят в очень узких областях магнитного поля В, соответствующих приблизительному совпадению энергии Ферми Ер с наполовину заполненным уровнем Ландау. Мы детально изучали температурную зависимость ширины плато, соответствующего i 4 ( р Л, / 4в 2 6 5 кОмЬ а также ступеньки при n L It. [35]
 |
Схема энергетических зон арсенида галлия. [36] |
С ростом температуры кривые сдвигаются в область меньших энергий фотонов. Это связано с температурной зависимостью ширины запретной зоны. [37]
 |
Зависимость второго момента широ.| Температурная зависимость коэффициента теплопроводности для ОКЭМ ( 1 и ОКДМ ( 2. [38] |
Для сравнительной характеристики подвижности олигомерного блока можно использовать ширину линий группы - СН2 - СН2 - в спектре высокого разрешения, поскольку эта группа является основным звеном олигомерных молекул. На рис. 3.5 приведена температурная зависимость ширины линии этой группы для двух исследованных олигомеров. Ширина линий группы - СН2 - СН2 - определяется совокупностью трансляционной и вращательной подвижности всей молекулы. Из рис. 3.5 следует, что подвижность молекул олигомеров при 20 С выше у ОКДМ и понижается с уменьшением длины и гибкости олигомерного блока. Наряду с этим при понижении температуры медленнее всего затормаживается молекулярное движение в системе с наиболее гибкой молекулярной цепью. [39]
 |
Мессбауэровские спектры поглощения стекловолокна состава № 2, полученные при 20. [40] |
Структура стекловолокна, замороженная при более высокой температуре, отличается от структуры массивного стекла менее выраженной микронеоднородностью. К этому выводу позволяет прийти разная температурная зависимость ширины линии поглощения для образцов стекла и стекловолокна при низких и высоких температурах. [41]
Анализируя формулы (3.38) и (3.39), можно сделать заключение, что при Т - 0 уровень Ферми в собственном полупроводнике находится в середине запрещенной зоны, а с ростом температуры движется к той зоне, в которой эффективное числоТсостояний, а значит, и эффективная масса для плотности состояний меньше. Заметим, что здесь не учитывается температурная зависимость ширины запрещенной зоны. [42]
Анализируя формулы (3.61) и (3.62), можно заключить, что при Т 0 уровень Ферми в собственном полупроводнике находится в середине запрещенной зоны, а с ростом температуры движется к той зоне, в которой эффективное число состояний, а значит, и эффективная масса для плотности состояний меньше. Заметим, что здесь не учитывается температурная зависимость ширины запрещенной зоны. [43]
Анализируя формулы (3.38) и (3.39), можно сделать заключение, что при Т - 0 уровень Ферми в собственном полупроводнике находится в середине запрещенной зоны, а с ростом температуры движется к той зоне, в которой эффективное числоТсостояний, а значит, и эффективная масса для плотности состояний меньше. Заметим, что здесь не учитывается температурная зависимость ширины запрещенной зоны. [44]
В соответствии с соотношением указанных двух членов температурная зависимость ширины линий в большей или меньшей степени приближается к линейной или к экспоненциальной. [45]
Страницы: 1 2 3 4