Температурная зависимость - электросопротивление
Cтраница 1
 |
Температурные зависимости сопротивления NHaBr для различных давлений.| Зависимости электросопротивления ( а и магнетосопротивления ( b NI-UBr от магнитного поля при различных давлениях. [1] |
Температурные зависимости электросопротивления имеют положительный температурный коэффициент сопротивления при 77 - 300 К. [2]
Температурная зависимость электросопротивления ВТСП-материалов подобна представленной на рис. 3.15. Выше точки сверхпроводящего перехода зависимость электросопротивления от температуры близка к линейной, что характерно для металлов. Отличие состоит в том, что величина электросопротивления в нормальной фазе на три порядка выше, чем у хороших металлов. [3]
Характер температурной зависимости электросопротивления для образцов, вырезанных перпендикулярно и параллельно давлению прессования, также различен. Так, для р ц материала ГМЗ и р материала МГ абсолютные величины сопротивления при прокалке выше 2873 К начинают возрастать. [4]
Исследование температурной зависимости электросопротивления до 2000 показало, что все сплавы системы иадоют полупроводниковый характер. [5]
Из температурной зависимости электросопротивления определены энергии активации. [6]
Изучение температурной зависимости электросопротивления компактных наноматериалов в основном используется для характеристики состояния межзеренных границ и определения температуры релаксации. [7]
Так, температурная зависимость электросопротивления для графитов и коксов имеет различный характер. Температурный коэффициент электросопротивления коксов имеет отрицательный знак, его величина зависит от природы материала. Температурный коэффициент электросопротивления графита имеет инверсию знака: кривая, изображающая температурную зависимость сопротивления, проходит через минимум, положение которого зависит от размеров кристаллитов графита. [8]
Положение минимума на температурной зависимости электросопротивления также зависит от температуры графитизации: чем выше эта температура, тем меньшие значения имеет величина электросопротивления и минимум образуется при более низких температурах. Поэтому по его положению можно судить о совершенстве структуры графита, которое определяется в первую очередь температурой графитизации. [9]
В соответствии с температурной зависимостью электросопротивления в области 350 К энергия активации Ga2Tes р-типа равна 1 36 зв, а по оптическим измерениям, но краю пропускания - 1 24 J - 0 3 эв. [10]
А ведь именно такая температурная зависимость электросопротивления заставила многих сомневаться в том, является ли кремний полупроводником или металлом. [11]
Очень странной может выглядеть температурная зависимость электросопротивления стекол. [12]
 |
Зависимость диэлектриче -. [13] |
На рис. 3.17 показаны температурные зависимости электросопротивления напыленных пленок SiO2 Ni разного состава толщиной около 100 нм. [14]
При использовании рассмотренной установки получают температурные зависимости электросопротивления при различных давлениях. Скачок электросопротивления, обусловленный плавлением исследуемого металла, позволяет определить температуру фазовых превращений. [15]
Страницы: 1 2 3 4