Температурная зависимость - электросопротивление
Cтраница 3
Поскольку при этом концентрация серебра в твердом растворе возрастает, электросопротивление круто поднимается. Перелом на температурной зависимости электросопротивления соответствует температуре предельного насыщения твердого раствора вторым компонентом. [31]
Полученные результаты свидетельствуют, что все додека-борнды, кроме YbB ] 2, являются соединениями с типичной металлической проводимостью. Это подтверждается температурной зависимостью электросопротивления и термоэдс ( линейная для р и монотонная для а), малыми значениями коэффициента Холла и соответственно большой концентрацией носителей тока. Большие значения критерия б свидетельствуют о преобладании одного типа носителей тока - электронов. Металлический тип проводимости додекаборидов иттрия, циркония и лютеция из расчета энергетического спектра электронов связан с частичным заполнением электронами лровнеп ( 2t2g) 2, ( 4ttu) 4, ( 1 / ig) 4 соответственно. [32]
 |
Распределение Ферми - Дирака электронов по энергиям. [33] |
Зависимость Блоха-Грюнайзена хорошо соблюдается для простых металлов. При Г3 50вд в силу линейности температурной зависимости электросопротивления температурный коэффициент сопротивления ( ар) имеет постоянный порядок величины и равен - 4 - 10 - 3 град-1, причем у переходных металлов он несколько больше. [34]
Поскольку в аморфных сплавах ионы, являющиеся центрами рассеяния электронов проводимости, расположены крайне неупорядоченно, перенос электронов, обусловливающий в первую очередь электросопротивление и столкновения электронов с ионами, существенно отличается от переноса электронов в кристаллах. В настоящее, время для объяснения температурных зависимостей электросопротивления аморфных сплавов широко используется теория Зай-мана, хорошо работающая применительно к жидким металлам. В разделе 6.4 будет сделана попытка систематизировать экспериментальные результаты по определению электросопротивления аморфных сплавов с позиций оригинальной и модифицированной теории Займана. [35]
 |
Температурный ход электропроводности двух образцов TISe различной чистоты. [36] |
Энергия активации собственной проводимости TISe, по данным работы [23], составляет 0 57 эв. На рис. 55 кривые 1 и 2 соответствуют температурной зависимости электросопротивления двух образцов TISe разной чистоты. Монокристаллы этого соединения вообще очень чувствительны к примесям. [37]
 |
Температурный ход электропроводности двух образцов TISe различной чистоты. [38] |
На рис. 55 кривые 1 и 2 соответствуют температурной зависимости электросопротивления двух образцов TISe разной чистоты. Монокристаллы этого соединения вообще очень чувствительны к примесям. [39]
Электрическое сопротивление металлов широко используется в качестве термометрического параметра, но, как мы увидим, для топ же цели можно с успехом применять электросопротивление материалов другого класса - полупроводников. Прежде чем описывать термометры, изготовленные из полупроводников, рассмотрим природу температурной зависимости электросопротивления металлов и полупроводников. [40]
Таким образом, удельное сопротивление р а 1 оказывается прямо пропорциональным температуре. Полупроводник с большим содержанием примесей ведет себя подобно металлу, в котором при не очень низких температурах обычно наблюдается именно такого рода температурная зависимость электросопротивления. Это указывает на ограниченность старого критерия, согласно которому электропроводность полупроводников растет при повышении температуры. В действительности такая зависимость электропроводности от температуры имеет место лишь в области почти собственной проводимости, когда концентрация свободных носителей тока ( п и р) растет настолько быстро, что падение подвижности почти незаметно. [41]
С этой точки зрения исследования теплофизических свойств твердых веществ в широком интервале температур в различных средах и при внешних воздействиях приобретает большое научное и прикладное значение. Систематические исследования теплофизических свойств, таких как коэффициенты тепло - и температуропроводности, излучательных характеристик, теплоемкости и энтальпии, теплот фазовых переходов, температурной зависимости электросопротивления, поведения твердых веществ при высоких температурах в вакууме, позволяют не только определить области практического использования материала, но также дать полезные сведения о природе этих материалов, служить основой для дальнейшего развития высокотемпературной физики твердого тела. [42]
Си, Zn, Cd), синтезированные взаимодействием смеси окислов исходных металлов в потоке селеноводорода. Сняты температурные зависимости электросопротивления и коэффициента терыоэдс в интервале 290 - 500 К. Проведен анализ электрофизических свойств исследованных халькогенидов с привлечением общей модели произвольного расположения уровня Ферми в запрещенной зоне между валентной зоной и зоной проводимости. Приведены рассчитанные по этой методике параметры электропереноса для ZnCrjSei, находящиеся в хорошем соответствии с экспериментально полученными значениями. [43]
Мори и Хашимото 126 ] измеряли удельное электросопротивление и коэффициент Холла монокристаллов TISe при температурах в интервале 100 - 450 К. Характер температурной зависимости электросопротивления и коэффициента Холла связан с методом получения монокристаллов и их. Образцы TISe, полученные вытягиванием из расплава, имели характерную для полупроводников зависимость удельного электросопротивления от температуры, а образцы, полученные зонной плавкой, показывали в области низких температур слабое возрастание электросопротивления, которое падало лишь в области комнатной температуры. Наибольший положительный коэффициент сопротивления в области низких температур был у образцов, полученных обычным охлаждением. [44]
Мори и Хашимото [26] измеряли удельное электросопротивление и коэффициент Холла монокристаллов TISe при температурах в интервале 100 - 450 К. Характер температурной зависимости электросопротивления и коэффициента Холла связан с методом получения монокристаллов и их термической обработки. Образцы TISe, полученные вытягиванием из расплава, имели характерную для полупроводников зависимость удельного электросопротивления от температуры, а образцы, полученные зонной плавкой, показывали в области низких температур слабое возрастание электросопротивления, которое падало лишь в области комнатной температуры. Наибольший положительный коэффициент сопротивления в области низких температур был у образцов, полученных обычным охлаждением. [45]
Страницы: 1 2 3 4