Температурная зависимость - электросопротивление
Cтраница 2
 |
Схема ячейки для измерения электросопротивления таблеток. [16] |
Все эти превращения должны закономерно отражаться на ходе температурной зависимости электросопротивления смеси веществ. [17]
 |
Зависимость электросопротивления гексаборида самария от температуры для двух образцов различной пористости.| Зависимость электросопротивления гексаборида иттербия от температуры. [18] |
Большим своеобразием отличается также и наблюдаемая для этого соединения температурная зависимость электросопротивления. На рис. 1 и 2 приведены соответствующие кривые, относящиеся к двум различным металлокерамическим образцам гексаборида самария, несколько отличающимся друг от друга степенью пористости, и, для сравнения, к гексабориду иттербия. [19]
Высокотемпературная высоковакуумная установка с разогревом образцов прямым пропусканием тока предназначена для измерения температурной зависимости электросопротивления, коэффициента монохроматического излучения ЕХ ( К 0 65 мкм), коэффициента теплопроводности и скорости испарения. [20]
Большое электросопротивление ( на порядок выше, чем у остальных додекаборидов), температурная зависимость электросопротивления и термоэдс ( изменение знака dp / dT и da dT при повышенных температурах), малая величина критерия 8, свидетельствующая об участии двух полос, а также повышенное значение постоянной Холла дают возможность считать, что додекаборид иттербия не обладает чисто металлической проводимостью, а, по-видимому, принадлежит к классу полуметаллов. [21]
 |
Схема высокотемпературной камеры высокого давления для измерения электросопротивления. [22] |
При изучении различных превращений в металлах и сплавах основным источником информации являются аномалии температурной зависимости электросопротивления, причем относительная величина их часто мала. [23]
Схема установки для измерения теплоемкости модуляционным методом представлена на рис. 17.5. Погрешность метода в основном определяется надежностью данных о температурной зависимости электросопротивления образца, так как все остальные параметры ( сила тока, частота) определяются достаточно точно. [24]
Зависимость величины электросопротивления термометра, изготовленного из радиосопротивлений фирмы Аллен - Брэдли, от температуры ниже 20 К довольно хорошо описывается приведенным выше соотношением для температурной зависимости электросопротивления элементарных примесных полупроводников. Причины этого не вполне ясны. [25]
На пленках с керамическими подложками проведен ряд исследований: определена энергетическая щель ( двумя методами - туннельным эффектом и измерением теплопроводности), измерено намагничивание трубок, получена температурная зависимость нормального электросопротивления, определено верхнее критическое поле ( с помощью микроволнового поверхностного импеданса) - исследовано влияние нейтронного облучения и влияние направления тока и поля на способность соединений нести транспортный ток. [26]
Температурные зависимости электросопротивления пластически деформированных: серебра и меди. [27]
Температурная зависимость электросопротивления термометра при температурах выше 0 15 К была получена путем измерения магнитной восприимчивости соли в предположении, что она подчиняется закону Кюри. [28]
Все это позволило Ревалду и Харбеку [30] провести интерпретацию физических свойств монокристаллов 3 - In2S3, полученных из газовой фазы методом химических транспортных реакций по Нитше и Мерцу [28], размерами в несколько миллиметров. Были исследованы температурная зависимость электросопротивления, эффект Холла, подвижности носителей в интервале температур от температуры жидкого азота до температуры кипения серы ( 445 С); проводились также оптические измерения легированных и нелегированных кристаллов. [29]
Все это позволило Ревалду и Харбеку [30] провести интерпретацию физических свойств монокристаллов p - In2S3, полученных из газовой фазы методом химических транспортных реакций по Нитше и Мерцу [28], размерами в несколько миллиметров. Были исследованы температурная зависимость электросопротивления, эффект Холла, подвижности носителей в интервале температур от температуры жидкого азота до температуры кипения серы ( 445 С); проводились также оптические измерения легированных и нелегированных кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4