Спектральная зависимость

Cтраница 1

Спектральная зависимость /) 2-линии, показанная на рис. 3.2.5 - 3.2.7, может быть объяснена в рамках процессов безызлучательной рекомбинации [36], в частности, высокоэнергетический участок интерпретируется в рамках активируемых безызлучательных процессов перехода, когда электрон рекомбинирует с дыркой на центрах свободных связей. Пик в низкоэнергетической области спектральной зависимости считается результатом туннельного перехода захваченного электрона на излучательном центре в центр свободной связи, как показано на рис. 3.2.8, так как туннельный переход усиливает безызлучательную рекомбинацию, в результате чего ( Д / / /) ЭПР линии Огувеличивается. Анализ спектральной зависимости ОДМР-сиг-налов позволяет определить положения уровней А - центров и дважды занятых центров свободных связей. В табл. 3.2.2 дана сводка значений ЕА и Ер совместно со значениями Elf. ЕА и E-D обозначают глубину уровней Л - центров и дважды занятых центров свободных связей соответственно, а через Е0, Ещ и Е / 1 обозначены оптическая ширина запрещенной зоны и энергии фотонов высокоэнергетического и низкоэнергетического краев спектра люминесценции соответственно. [1]

Энергетические потоки в системе с многократным отражением. Интенсивность / у выходящего из кристалла света, находится. [2]

Спектральные зависимости R ( К), а ( К) от длины волны, R ( со), а ( со) от частоты или R ( Исо), а ( исо) от энергии квантов падающего света называются соответственно спектрами отражения или спектрами поглощения света для данного полупроводника. [3]

Спектральная зависимость Дг-линии, показанная на рис. 3.2.5 - 3.2.7, может быть объяснена в рамках процессов безызлучательной рекомбинации [36], в частности, высокоэнергетический участок интерпретируется в рамках активируемых безызлучательных процессов перехода, когда электрон рекомбинирует с дыркой на центрах свободных связей. Анализ спектральной зависимости ОДМР-сиг-налов позволяет определить положения уровней А - центров и дважды занятых центров свободных связей. [4]

Указанные спектральные зависимости различны для разных полупроводниковых материалов и связаны с особенностями их зонной структуры, концентрациями носителей заряда и примесей, характером процессов рассеяния носителей заряда. Это обстоятельство обусловливает принципиальную возможность изучения физических процессов и явлений в полупроводниках и измерения их важнейших параметров с помощью измерения их оптических свойств, в первую очередь спектров отражения и пропускания в широком интервале частот. [5]

Спектральная зависимость испускательной способности графита Н ( 1 - 3 и графита ГМЗ ( 4 - 6 для различных температур измерения.| Температурная зависимость полной испускательной способности неграфитирующихся материалов и графитов. [6]

Спектральная зависимость испускательной способности различна для разных температур, но общим для всех материалов является тенденция к ослаблению зависимости испускательной способности от длины волны по мере повышения температуры. [7]

Спектральные зависимости отражательной способности имеют при этом типичный вид с двумя минимумами. [8]

Спектры фоторезистивного эффекта в области собственного поглощения. [9]

Спектральная зависимость фоторезистивного эффекта, соответствующего собственному поглощению, отличается от спектров собственного поглощения. [10]

Спектральная зависимость коэффициента отражения К ( Я) для такого полупроводника, как германий л-типа, приведена на рис. 5.5. Для других полупроводников кривые R ( А) имеют аналогичный вид. [11]

Спектральная зависимость величины F ( дифф), таким образом, воспроизводит истинный контур спектра поглощения растворенного вещества, давая log е с точностью до неопределенной константы. [12]

Частотные ха - [ IMAGE ] Спект. [13]

Спектральная зависимость коэффициента собирания к для р-я - - фотодиода при засветке со стороны р-слоя показана на рис. 5.21. Величина к незначительно растет с увеличением напряжения U. Это означает, что диффузионная длина носителей в слое высокоомной i-области, не охваченном ОПЗ, близка к значению ширины этого слоя. [14]

Спектральная зависимость пропускания фильтра Лио чисто синусоидальная, так как в нем, в отличие от интерферометра Фабри-Перо, интерференция двухлучевая. [15]

Страницы: 1 2 3 4