Cтраница 4
На рис. 5.15 представлена спектральная зависимость коэффициента собирания для кремниевых фотоприемников, полученных двухэтапной диффузией фосфора и ионно-лучевым методом легирования. Здесь для сравнения приведен аналогичный график для фотодиода со ступенчатым распределением примеси. Видно, что гауссовское распределение примеси ( кривая 2) обеспечивает высокую чувствительность в коротковолновой области спектра. [46]
![]() |
Зависимости слоевого сопротивления ( 1 и коэффициента пропускания ( 2 легированных фтором пленок SnO, полученных методом пульверизации с последующим пиролизом, от их толщины d. [47] |
На рис. 3.31 изображены спектральные зависимости коэффициентов пропускания и отражения различных оксидных пленок. На рис. 3.32 представлены зависимости слоевого сопротивления и коэффициента пропускания легированных фтором проводящих оксидных пленок SnOx от их толщины. [48]
На рис. 11.210 приведена типичная спектральная зависимость токов фотопроводимости и фотоэлектромагнитного эффекта в InSb при 77 К. [49]
![]() |
Спектральные зави симости коэффициента отраже ния системы Si - Si02 при в 4 в процессе роста пленки Si02 до толщины ( нм. 1 - 0 7. 2 - 2 5. 3 - 5 0. [50] |
На рис. 1.12 приведены полученные спектральные зависимости коэффициента отражения при угле падения Э 4 в области Ьц, ш-края поглощения кремния для ряда образцов с толщиной слоя Si02 от 0 7 до 24 нм. [51]
![]() |
Спектральная зависимость показателя преломления кристалла кремния в диапазонах а Л 0 5 - 1 мкм и б А 1 - Ь 10 мкм при температуре 20 С ( 1 и 200 С ( 2. [52] |
На рис. 3.1 показана спектральная зависимость показателя преломления монокристалла кремния при температурах 20 и 200 С. [53]
![]() |
Эффективная площадь сов мещенной системы телескопа PT - 4M. [54] |
На рис. 5.26 приведена спектральная зависимость эффективной площади совмещенной системы рентгеновского телескопа РТ-4М [11], состоящей из внешней пары параболоид - гиперболоид диаметром 24 см с никелевым покрытием на область 2 - 8 нм и внутренней пары диаметром 13 см с золотым покрытием на область 1 - 2 нм. [55]
Контур кривой, представляющей спектральную зависимость cx2i ( v) и построенный с помощью ( 3), незначительно отличается от контура полосы флуоресценции, он пропорционален последнему [ - / ( v) / v2 или - W ( v) / v3 ] и несколько смещен в низкочастотную сторону по сравнению с ним. [56]
Таким образом, измеряя спектральную зависимость интенсивности фотолюминесценции Rr ( hv), коэффициент поглощения a. [57]
![]() |
Коэффициент поглощения оконного стекла в интервале длины волны от 0 5 до 5 мкм. [58] |
Для практических расчетов пренебрегают спектральной зависимостью - k ( k) и используют усредненные по спектру значения коэффициента поглощения. [59]
ЗОа) видно, что спектральная зависимость фототока может быть использована для определения коэффициента поглощения материала. [60]