Основа - пленка
Cтраница 2
 |
Конфигурация резисторов в гибридной микросхеме. [16] |
Резисторы на основе пленки тантала позволяют осуществлять точную доводку сопротивления с погрешностью 0 5 - 1 0 % за счет окисления поверхностного слоя во время термического отжига. [17]
 |
Зависимость фактор растгшпш плети. ] двуокиси ] титана от частоты при разных температурах. [18] |
Изготовленные на основе пленок двуокиси титана, полученных разложением тетраэтоксититана при 950 С, конденсаторы имели диэлектрическую постоянную, равную 95 - 100, а фактор рассеяния ( 30 - МОО) - 10 - 4 при 1 кгц. При напряжении 1000 в пленка толщиной 17 мкм пробивалась в течение 1 мин. В случае переменного тока частотой 50 гц при напряжении 160 в пленка пробивалась за 30 мин. [19]
 |
Схемы строения черно-белых катушечных перфорированной ( а, неперфорированной ( б фотопленок и черно-белой фотобумаги ( в. [20] |
С обратной стороны основы пленки наносится слой, предупреждающий образование электроразрядов и порчу фотопленки. Этот слой препятствует также свертыванию пленки в сторону эмульсии. У некоторых пленок он выполняет также и роль проти-воореольного слоя. [21]
 |
Схемы строения черно-белых катушечных перфорированной ( а, неперфорированной ( б фотопленок и черно-белой бумаги ( в. [22] |
С обратной стороны основы пленки наносится слой, предупреждающий образование электроразрядов и порчу фотопленки. Этот слой препятствует также свертыванию пленки в сторону эмульсии. У некоторых пленок он выполняет также и роль про-тивоореольного слоя. [23]
Ленту изготовляют на основе пленки из поливинилхлоридного изоляционного пластиката марки И40 - 13 по ГОСТ 5960 - 72 с нанесением на одну сторону липкого слоя, изготовленного на основе пер-хлорвиниловой смолы. [24]
Свойства конденсаторов на основе пленки САМП близки к полистирольным, но имеют более высокую термостойкость, и верхний предел рабочих температур составляет 100 С. [25]
Тоикопленочные резисторы иа основе пленок рения характеризуются высокой стабильностью сопротивления. [26]
Лучшее приставание к основе гидрофильной пленки достигается при использовании подложки, состоящей из пластицированного на вальцах эластомера и алкоголята титана. [27]
Материалы дублированные на основе полиэтилентереф-талатной пленки. [28]
Предварительным процессом при изготовлении основы пленки является очистка целлюлозы от различных смолистых примесей, вредных для будущего материала. Отходы хлопка обрабатывают растворами едких щелочей ( бучение), затем уничтожают их коричневую окраску специальными отбеливающими растворами, промывают и сушат. [29]
 |
Структуры ячеек фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии на основе гидрогенизированного аморфного кремния. [30] |
Страницы: 1 2 3 4