Основа - пленка
Cтраница 4
Управление током, протекающим через полевой транзистор на основе металлооксидной пленки ( МОП-транзистор или MOSFET), также осуществляется с помощью электрического поля, прикладываемого к затвору. [46]
Полупроводниковые резисторы ( датчики проникающих излучений) изготовляют на основе пленок из поликристаллических материалов - сульфида кадмия, селенида кадмия и др. - путем возгонки в вакууме и осаждения полупроводниковой пленки на металлическую подложку, которая является одним из выводов. Второй вывод наносится поверх полупроводникового слоя также напылением в вакууме. В последнем случае обеспечивается надежная защита от светового и рентгеновского излучения и надежная регистрация - излучения с квантами, имеющими большую энергию. [47]
Основное назначение мочевиноформальдегидных пропиточных смол - изготовление на их основе пленок с полной поликонденсацией смолы или синтетического шпона. Пропиточный раствор для этой цели состоит из мочевиноформальдегидной смолы и отвердителя. В качестве отвердителя используют 10 % - ный раствор хлористого аммония в количестве 0 15 - 0 25 % ( в пересчете на 100 % - ное вещество) от массы смолы. [48]
Это связано с тем, что в антиотражающих покрытиях на основе пленок ОНК отражение от подслоя устраняется сдвигом фазы отраженного излучения относительно падающего излучения, тогда как в органических АОП - с помощью абсорбции отраженного излучения, которое может вызывать деградацию органических материалов. [49]
Пленка ПАР находит применение в качестве компонента композиционных материалов на основе по-лиэтилентерефталатной пленки, предназначенных для изоляции - обмоток электрических машин на рабочие температуры до 155 С ( см. разд. [51]
Установка УВН-62П-1 предназначена для промышленного изготовления элементов тонкопленочных микросхем на основе пленок тантала. Установка разработана на основе базовой модели УВН-2М. Внутрикамерное устройство ( рис. 44) имеет тран-спортно-бункерный конвейер, позволяющий одновременно загружать до 200 ситалловых или полупроводниковых подложек. Механизмы перемещения 6 и подъема подложек 5 заземлены и являются анодом. На базовой плите установлены два вентиля-натекателя с электромагнитным управлением, с помощью которых в рабочую камеру впускают газ ( обычно аргон) и поддерживают определенное давление. [52]
Это свидетельствует о том, что Wp2, по-видимому, составляет основу пленки, окисление и восстановление которой определяет область транспассивного состояния вольфрама. [53]
Фельдман и др. [23] измерили вольт-амперные характеристики нескольких солнечных элементов на основе пленок кремния, полученных методом вакуумного испарения при различных температурах подложки и имеющих неодинаковый размер зерен, и установили, что темновые характеристики отвечают уравнению, содержащему два экспоненциальных члена с пред-экспоненциальными множителями / si и / S2 и диодными коэффициентами п и п2 2, соответствующими диффузионному и рекомбинационно-генерационному механизмам протекания тока. Независимые измерения диффузионной длины носителей заряда и размера зерен показали, что / si уменьшается при возрастании диффузионной длины ( что согласуется с теоретическими результатами), a JS2 понижается при увеличении размера зерен вследствие уменьшения количества рекомбинаци-онных центров. [54]
На фабриках кинопленки искусственный холод применяют в следующих технологических операциях: изготовление основы пленки; приготовление эмульсии светочувствительного слоя; нанесение светочувствительного слоя на основу; технологическое кондиционирование воздуха. [55]
На рис. 62 приведена общая схема приготовления литейной массы, предназначенной для получения тонкой прозрачной основы пленки. Для образования однородной смеси общую массу перемешивают в ма-лаксере несколько часов. [56]
На рис. 62 приведена общая схема приготовления литейной массы, предназначенной для получения тонкой прозрачной основы пленки. Для образования однородной смеси общую массу перемешивают в малаксере несколько часов. [57]
Противоореольный слой получают созданием подложки из прозрачного полимера 2-винилпиридина, который наносят первым на основу пленки. Предметом третьего патента [37] является противоореольный слой, полученный из полимеров винилпиридинов, не липкий, нерастворимый в воде или щелочах и растворимый в 1-процентной уксусной кислоте. Такие полимеры получают полимеризацией 2 -, 3 - или 4-винилпиридина или гомолога, содержащего в пиридиновом кольце алкильный радикал с 1 - 4 атомами углерода. Следует отдать предпочтение проведению полимеризации в водном растворе неорганической кислоты в присутствии перекионого инициатора при температуре от 20 до 50 в течение 10 - 200 час. Полимер осаждают щелочью, промывают и сушат. Наилучший продукт получают из полимеров замещенных 2 - или 3-пиридина или их сополимеров, содержащих от 1 до 10 % другого сополимеризующегося мономера. Мономерами, пригодными для сополимеризации с мономерным винил-пиридином, являются стирол, амид и эфиры акриловой кислоты, акрилонитрил и мбтакрилонитрил. [58]
Для создания электрической изоляции обмоточных проводов, обладающих повышенной стойкостью к агрессивным средам, на основе пленки ПМ-1 изготавливают комбинированные полиимидофторопластовые пленки с односторонним ( ПМФ-351) и двусторонним ( ПМФ-352) покрытием. Это покрытие придает пленке способность свариваться с такой же пленкой и другими материалами. Кроме того, оно увеличивает химическую стойкость, а также повышает стойкость к термоокислительной деструкции. Под действием у-излучения при дозах более 100 Мрад наблюдается растрескивание фторопластового покрытия. [59]
Страницы: 1 2 3 4