Cтраница 3
Преимуществами полевых транзисторов на основе пленок a - Si: Н являются: большое отношение токов при открытом и закрытом состояниях транзистора ( 10 - 107) вследствие высокого удельного сопротивления материала; низкие температуры процесса изготовления приборов ( менее 350 С), что допускает их создание на подложках из материалов небольшой стоимости; возможность использования типовых фотолитографических процессов полупроводниковой технологии; небольшая стоимость. Вместе с тем малая подвижность носителей заряда существенно ограничивает области применения этих приборов. [31]
Влагостойкая изоляция выполняется на основе триацетат-целлюлозной пленки, стекловолокнистых и слюдяных материалов. [32]
Пусть имеется волновод на основе пленки GaAs толщиной 1 0 мкм, выращенной на подложке из AlGaAs. [33]
Другие пьезосопротивления, на основе пленок кремния, хотя и имеют коэффициент тензочувствительности у50при 200 С, однако, при высоких температурах они гораздо менее чувствительны и значительно менее стабильны. Пленки платины или хрома напыляли на подложки, состоящие из молибденовой ленты толщиной 0 127 мм, покрытой слоем окиси алюминия толщиной 2 5 - 10 - 2 мм и сверху - стеатитом такой же толщины. В такой комбинации достигается высокое удельное сопротивление, требуемое при 600 С, и обеспечивается достаточно гладкая поверхность подложки, необходимая для напыления металлической пленки. [34]
Наиболее распространены пленкосинтокартоны на основе поли-этилентерефталатных пленок и полиэфирной или полиамидной бумаги. [35]
Для получения привитых сополимеров на основе различных полиоле-финовых пленок и винильных мономеров нами был использован метод передачи цепи через полимер с применением инициаторов радикальной полимеризации. [36]
Диодные характеристики солнечных элементов на основе тонких дендритных пленок кремния, получаемых на подложках из оксида алюминия [22], отличаются от ранее рассмотренных характеристик. Протекание темнового тока в этих элементах обусловлено процессами, происходящими в области пространственного заряда, причем ток изменяется пропорционально квадрату напряжения. Вероятно, важную роль в этих процессах играют глубокие примесные уровни. [37]
Различают следующие основные виды материалов на основе пленки: синтолента, синтофолий и синтокартон. Толщина синтетической пленки для указанных материалов берется от 0 04 мм до 0 1 мм. [38]
Различают следующие основные виды материалов на основе пленки: синто лента, синтофолий и синтокартон. Толщина синтетической пленки для указанных материалов берется от 0 04 до 0 1 мм. [39]
Различают следующие основные виды материалов на основе пленки: синтолента, синтофолий и синтокартон. Толщина синтетической пленки для указанных материалов берется от 0 04 до 0 1 мм. [40]
Смолу ( или полученные на ее основе пленки) омыляют водным раствором щелочи и нейтрализуют избыток щелочи серной кислотой. Свободную метакриловую кислоту отделяют от других органических кислот вакуумной перегонкой, затем определяют высокочастотным титрованием. [41]
Пленочные полевые триоды, изготовленные на основе пленки CdSe, имеют примерно следующие характеристики [60]: крутизна около 10 ма / в, усиление по напряжению 100, входное сопротивление 0вом, входная емкость около 50 пф. [42]
На фабриках кинопленки холод применяется при изготовлении основы пленки, приготовлении эмульсии светочувствительного слоя и нанесении его на основу. [43]
Снижения градиента механических напряжений в гетерострук-турах на основе стеклоэмалевых пленок можно добиться, применяя низкотемпературные стеклоэмали - чем ниже температура вжигания, тем с меньшего температурного уровня начинается накопление механических напряжений. Композитная стеклоэмаль менее подвержена растрескиванию, чем фритта без наполнителя, так как обладает структурным демпфированием на частицах наполнителя. [44]
Практически наиболее широко используют носитель информации на основе марганец-висмутовой пленки, которая обладает возможностью намагничиваться перпендикулярно плоскости пленки. Температура Кюри этой пленки равна 350 С. Если пленку поместить в однородное магнитное поле, недостаточное для изменения магнитного состояния, то после нагрева ее участка выше температуры Кюри последний приобретет намагниченность, определяемую внешним полем. [45]