Cтраница 1
Хорошая линейная зависимость, наблюдаемая на рис. 20, предполагает общий механизм для всех приведенных реакций или по крайней мере механизм с общей лимитирующей стадией. [1]
Хорошая линейная зависимость по Бренстеду наблюдается лишь для случая О - Н - кислот близкой структуры при изменении рКа в пределах нескольких единиц. [2]
Особенно хорошая линейная зависимость наблюдается между химическими сдвигами протонов в пара-положении к заместителю и параметрами этого заместителя. [3]
Наличие хорошей линейной зависимости lug ЛГ от а-мета Гамметта позволило высказать предположение, что в случае витальных соединений на доступность С-С - связи к комплексообразованию сильно влияет индуктивный эффект соседних полярных групп. [4]
Для получения хорошей линейной зависимости между интенсивностью падающего электромагнитного излучения на фотоэлемент и силой фототока во внешней цепи фотоэлемента необходимо, чтобы сопротивление гальванометра не превышало внутреннего сопротивления фотоэлемента и было по возможности меньше. [5]
Он получил хорошую линейную зависимость со значением реакционной константы р 4 26, указывающую на то, что реакция подчиняется общим закономерностям, наблюдаемым при электрофильном замещении. I, и материал по этому вопросу обсужден в монографиях Цол-лингера и Саундерса. Азосочетание представляет значительный интерес с позиций изучения влияния заместителей, так как оно часто может быть проведено в щелочной среде. [6]
Грамстед сообщает о хорошей линейной зависимости между Av и / CaccN или АЯ. Нет сомнений в том, что такая закономерность существует, но, вероятно, метод недостаточно чувствителен, чтобы определить небольшие изменения. [7]
Между указанными величинами имеется хорошая линейная зависимость, и, по-видимому, измерение равновесного влагосодер-жания представляет собой простой метод определения процентного содержания ОН-групп, связанных водородными связями нерегулярно и неупорядоченно. [9]
Наблюдаемая во многих случаях хорошая линейная зависимость между химическими сдвигами протонов и параметрами реакционной способности заместителей связана с тем, что и те и другие в значительной мере обусловлены изменением электронной плотности на соединяющих их атомах. Однако параметры реакционной способности и химические сдвиги часто зависят от иных факторов, не связанных непосредственно с электронной плотностью. Если влияние этих факторов при переходе от соединения к соединению изменяется не параллельно, наблюдаются значительные отклонения от линейной зависимости. В то время как вклад от межмолекулярного взаимодействия и магнитных свойств образца а можно, как правило ( но не всегда), исключить, учет магнитного влияния соседних атомов и групп данной молекулы часто представляет большие трудности. В дальнейшем будет произведена оценка величины этого эффекта в различных случаях и показаны пути учета его в параметрах заместителей. [10]
На практике для получения хорошей линейной зависимости необходимо выполнение двух условий. Во-первых, сопротивление источника сигнала должно быть достаточно малым по сравнению с сопротивлением резисторов, включенных в схему. Это связано с тем, что при изменении положения движка потенциометра изменяется ток в цепи ОС ОУ, а следовательно, и ток через сопротивление источника сигналов Rr. [11]
Для некоторых простых реакций наблюдаются хорошие линейные зависимости между измеряемыми параметрами ( константа скорости, сдвиг полосы поглощения) и а-константами. Даже в случае, когда механизм сольватации как-будто ясен, остается сомнение: правильно ли рассматривать сольватацию HCN только атомом галогена, если растворителем, содержащим этот атом, будет, например, хлорбензол. [12]
![]() |
Искажение расположения конов в ближайшем окружении междуузельного нона ( а. л. 1 ваокс.. ц ( б. [13] |
Правда, часто обе формулы дают одинаково хорошие линейные зависимости, благодаря тому, что в доступном для измерений, довольно узком температурном интервале логарифм температуры изменяется не очень значительно. [14]
![]() |
Проверка применимости уравнения адсорбции СН3ОН на BaS04.| Проверка применимости уравнения для адсорбции н. - С3Н ОН на BaS04. [15] |