Особенность - транзистор
Cтраница 1
Особенность транзистора заключается во взаимном влиянии переходов друг на друга. Для эффективного влияния эмиттерного перехода на коллекторный необходимо выполнение следующих основных требований. [1]
 |
Транзистор в интегральной микросхеме. а - топология. б - поперечное сечение. [2] |
Особенность транзисторов в интегральных микросхемах связана с их планарной конструкцией. Все контакты к основным областям транзистора, в том числе и контакт к коллектору, располагают на одной плоскости. Такое размещение коллекторного контакта приводит к увеличению распределенного сопротивления тела коллектора по сравнению с сопротивлением тела коллектора дискретного транзистора, в котором коллекторный контакт расположен снизу. Вследствие образования добавочного последовательного с коллектором сопротивления увеличивается сопротивление насыщения прибора. [3]
Особенности транзисторов заключаются в следующем: 1) транзисторы являются токовыми приборами, и для их нормальной работы всегда необходимы некоторый входной ток и входная мощность, в результате чего входная проводимость их оказывается значительно выше, чем у электронных ламп; 2) транзисторы характеризуются сильной внутренней обратной связью входных и выходных цепей; 3) параметры транзисторов уже на сравнительно низких частотах носят комплексный характер, в то время как у электронных ламп комплексный характер параметров проявляется только в диапазоне сверхвысоких частот. [4]
 |
Структура плоскостного транзистора и его условное обозначение. [5] |
Особенность транзистора по сравнению с такой конструкцией заключается во взаимном влиянии переходов друг на друга. [6]
 |
Транзистор в схеме с щей базой. [7] |
Особенность транзистора состоит в том, что концентрация дырок в эмиттере намного превышает концентрацию электронов в базе. Поэтому дырочная составляющая тока эмиттера значительно больше электронной. [8]
 |
Эквивалентная схема интегрального транзистора. [9] |
Особенность транзисторов интегральных схем связана с их планарной конструкцией. Все контакты к основным областям транзистора, в том числе и контакт к коллектору, располагаются сверху на одной плоскости интегральной схемы. Такое расположение коллекторного контакта приводит к увеличению распределенного сопротивления тела коллектора по сравнению с сопротивлением тела коллектора дискретного транзистора, у которого коллекторный контакт расположен снизу. Вследствие образования добавочного последовательного с коллектором сопротивления увеличивается напряжение насыщения прибора. Величина этого сопротивления составляет 10 - М00 Ом в зависимости от геометрии, тогда как в дискретных транзи. Для снижения напряжения насыщения применяют специальные меры. Например, в структуре, показанной на рис. 12.31, в коллекторе транзистора для уменьшения сопротивления тела коллектора введен высоколегированный слой и - типа. Этот слой получают дополнительной селективной диффузией до-норной примеси перед наращиванием эпптаксиального слоя. [10]
Основные типовые особенности транзисторов и тиристоров отображены в их маркировке. [12]
Особенность транзисторов интегральных микросхем состоит & том, что концентрация примесей в коллекторе вблизи перехода коллектор-база значительно меньше, чем концентрация примесей в базе по другую сторону этого перехода. Такое распределение примесей затрудняет изготовление транзисторов с высоким коэффициентом инжекции коллекторного перехода и большим инверсным коэффициентом передачи тока. Кроме того, относительно-низкий инверсный коэффициент инжекции приводит к тому, что-большая часть избыточного заряда неосновных носителей в режиме насыщения накапливается в области коллектора. Поэтому время выхода транзистора из режима насыщения-в основном зависит от свойств его коллектора. [13]
 |
Полярность включения n - p - п-транзистора.| Полярность включения р-п-р-транзи - стора. [14] |
Особенностью транзистора является тот факт, что коллекторный ток мало изменяется после достижения UCE определенного значения. Этой особенностью обладает пентод. Напряжение, при котором характеристика имеет изгиб, называется напряжением насыщения. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5