Особенность - транзистор
Cтраница 4
 |
Термокомпенсация в транзисторных генераторах.| Кварцевый гене. [46] |
Генераторы с внешним возбуждением и с самовозбуждением на транзисторах собирают по тем же схемам, что и ламповые триодные генераторы, причем роль катода в них играет эмиттер, роль сетки - база и роль анода - коллектор. Однако следует учитывать и ряд особенностей транзисторов. В отличие от ламповых триодов напряжение запирания ( геометрическое смещение) транзисторов типа р-п - р имеет положительное значение. Статическая крутизна транзисторов приблизительно на порядок выше, чем у пентодов, а входное сопротивление на 1 - 2 порядка ниже. При работе на частотах, превышающих критическое значение, импульсы коллекторного тока уменьшаются приблизительно обратно пропорционально частоте. [47]
 |
Схема низковольтного тора напряжения ( 7 - П11, Т2. [48] |
Поскольку фильтрацию в цепи питания коллектора усилительного триода вследствие малого потребляемого тока легко можно сделать довольно хорошей, подобные схемы удовлетворительно работают без дросселей в фильтре выпрямителя. При этом используется одна из особенностей транзисторов - их высокое сопротивление переменному току. Однако следует иметь в виду, что напряжение на регулирующем триоде должно превосходить максимально возможную амплитуду пульсаций при минимальном напряжении на выпрямителе. [49]
Оптимальная диаграмма Найквиста была выведена Боде применительно к ламповым усилителям. Безусловно, все основные относящиеся к ней идеи и формулы остаются в силе вне зависимости от типов и конструкции усилительных приборов, но при использовании этих соотношений для определения оптимальных характеристик, например транзисторных усилителей, следует учитывать ряд особенностей транзисторов по сравнению с лампами. [50]
Такая система из двух р-л-переходов ведет себя как два последовательно соединенных полупроводниковых диода. Вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода представляет прямую, а коллекторного-обратную ветвь характеристики диода. Особенность транзистора заключается во взаимном влиянии переходов друг на друга. На рис. 4.1, в показано распределение концентрации основных носителей для равновесного состояния вдоль структуры транзистора, имеющего резкие границы между областями. Концентрацию основных носителей в области коллектора обычно делают несколько меньшей, чем в области эмиттера. [52]
 |
Временные диаграммы сигналов при записи информации в ПЛ. [53] |
Рассмотрим принцип работы приведенного на рис. 2.10, а элемента памяти с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым светом. Транзистор УТг служит для выборки элемента памяти. Особенность транзистора VT2, структура которого показана на рис. 2.10, б, состоит в том, что он имеет изолированный затвор. При подаче достаточно большого напряжения к р - п - переходу истока либо стока происходит инжекция электронов в затвор, после чего этот заряд может удерживаться на затворе длительное время. [54]
При выборе нагрузки для транзистора нужно пользоваться его выходными характеристиками. Особенностью транзистора является возможность использования почти всего поля выходных характеристик от оси коллекторного тока до оси коллекторного напряжения. Оптимальная нагрузка выбирается обычно следующим образом. [55]
Из этого выражения видно, что с увеличением температуры перехода напряжение открывания транзистора L / 630TKp линейно уменьшается. Если же напряжение стабилизировать, то с нагреванием транзистора ток эмиттера будет увеличиваться по кривой, близкой к экспоненте. Эта особенность транзисторов и использована в рассматриваемых ниже устройствах ТЗ. [56]
Подобно другим импульсным устройствам, блокинг-генератор может быть выполнен на транзисторе. Работа его принципиально не отличается от работы ламповой схемы. Однако, учитывая особенности транзистора, целесообразно рассмотреть с качественной стороны процессы, происходящие в таком генераторе. [57]
Как ( видно из табл. 1, транзисторы имеют значительно большие значения произведения максимально допустимого напряжения и тока по сравнению с допустимой мощностью рассеяния ( коэффициент т), чем лампы. Описываемые ниже стабилизаторы и построены с учетом этой особенности транзисторов. [58]
 |
Некоторые схемы реверсивных транзисторных усилителей. [59] |
Различные схемы нереверсивных и реверсивных полупроводниковых усилителей в принципе могут быть построены так же, как и соответствующие схемы ламповых усилителей. Однако такие решения не всегда являются оптимальными. Это объясняется трудностью согласования каскадов, а также особенностями транзисторов ввиду симметрии последних. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5