Cтраница 5
Оба каскада усилителя высокой частоты имеют между собой много общего и отличаются только характером нагрузки, включенной в цепи коллекторов транзисторов: в первом каскаде - это резистор з, то есть постоянное сопротивление, во втором - катушка индуктивности Lz. В связи с этим интересно рассмотреть более подробно устройство и работу первого каскада, указать затем на особенности второго каскада. Но предварительно в нескольких словах напомним об основных свойствах и особенностях транзисторов. [61]
![]() |
Электронный соединитель а четырех-слойных транзисторах. [62] |
Транзистор работает следующим образом. При положительном потенциале на базе он закрыт, а при отрицательном потенциале ( по отношению к эмиттеру) - открыт. В открытом состоянии сопротивление между эмиттером и коллектором не превышает 20 ом. Особенностью транзистора указанного типа является то, что ток, проходящий через него, не должен снижаться до нуля, так как в этом случае транзистор переключится из проводящего состояния в непроводящее. [63]
![]() |
Сечение ( а и план ( б участка ИС с инжекционным питанием.| Полевой транзисторе индуцированным каналом р-типа. [64] |
Работа МДП транзисторов основана на инверсии типа проводимости приповерхностного слоя полупроводника при подаче на затвор соответствующего напряжения смещения. Под инверсионным слоем канала и под участками полупроводника с проводимостью р-типа, образующими исток и сток транзистора, возникает область, обедненная носителями. Сопротивление этой области достаточно ВРЛИЬО, что позволяет обеспечить хорошую изоляцию МДП транзисторов и устранить влияние остальных элементов схемы. Таким образом, МДП транзисторы, применяемые в полупроводниковых ИС, не требуют введения изолирующих р-п переходов или диэлектриков. Эта особенность МДП транзисторов существенно упрощает построение ИС. [65]
Движение зарядов в полупроводнике значительно медленнее движения электронов в вакууме, и поэтому транзистор по сравнению с электронной лампой является более инерционным прибором. Для каждого транзистора существует некоторая предельная, граничная частота, при которой он еще удовлетворительно работает, но выше этой частоты его усилительные свойства ухудшаются. В настоящее время имеются серийно выпускаемые транзисторы, работающие на частотах в несколько сотен мегагерц, а частотный предел некоторых опытных образцов достигает единиц гигагерц. К особенностям транзисторов следует также отнести то, что они имеют внутреннюю обратную связь через обратное сопротивление коллекторного перехода. [66]