Cтраница 3
Для лучей света, распространяющихся вдоль оси кристалла z, коэффициент преломления для равных поляризаций становится различным. [31]
Так как ось Х3 направлена вдоль оси Y кристалла, нормаль к плоскости молекулы должна быть повернута на угол - 35 к оси У. [32]
В поликристаллическом образце каждое из направлений осей кристаллов равновероятно. Число частиц, оси которых ориентированы внутри телесного угла сШ, пропорционально величине этого угла. [33]
А ориентируются в направлении одной из осей кристалла, получившей название оси легкого намагничивания, и ведут себя как микроскопические постоянные магниты, так как создают в окружающем их пространстве магнитное поле. При помещении такого тела ( назовем его однодоменом) в магнитное поле, направленное под углом к его оси легкого намагничивания, все находящиеся в нем нескомпенсированные спины повернутся на некоторый угол в направлении внешнего поля. В одно-доменах железа, углеродистой и кремнистой стали, имеющих объем-ноцентрированную кристаллическую решетку, направление легкого намагничивания совпадает с ребром куба, а у однодоменов высокопроницаемых ферритов, имеющих гранецентри-рованную кристаллическую решетку - с диагональю куба. Направление ребра куба является для последних направлением трудного намагничивания. В кристаллах кобальта с гексагональной структурой направлением легкого намагничивания является гексагональная ось, а любое направление в перпендикулярной ей плоскости - направлением трудного намагничивания. В кристаллах различных ферромагнетиков число осей легкого намагничивания различно: в объемноцентрированных кристаллах их три, в гране-центрированных - четыре, а в гексагональных - одна. Количество направлений, в которых могут быть ориентированы спины однодоменов, вдвое больше, чем число осей. [35]
По мере удаления от границы сплавления оси кристаллов несколько увеличиваются по своему сечению. [36]
![]() |
Собственная и примесная электропроводности диэлектрика при различном содержании примеси. я - концентрация примеси.| Зависимость удельного объемно. [37] |
В некоторых кристаллах электропроводность неодинакова по разным осям кристалла. [38]
Излучение, направление которого совпадает с осью кристалла, испытывает многократное отражение от зеркал резонатора и, проходя больший путь через активную среду, усиливается. [39]
Сопоставление соотношения концентраций радиоактивной серы в осях кристаллов и в межосных промежутках приведено на фиг. [40]
![]() |
Уровни энергии ионов парамагнитного кристалла в ф-ции магнитного поля. [41] |
И ц - постоянное магнитное поле параллельно оси кристалла; Н - поле перпендикулярно оси кристалла. [42]
Допустим, что с осью вращения совпадает ось Z кристалла. Головка устанавливается в таком положении, при котором большая дуга головки располагается параллельно первичному пучку. Предварительный промер кристалла при помощи осветителя позволяет зафиксировать ориентацию осей X и Y кристалла при этом нулевом положении головки. [43]
Ниже предполагается, что такой осью является ось Z кристалла. [44]
Предполагается, что с осью головки совмещена ось Z кристалла. [45]