Ось - кристалл
Cтраница 4
Температура намораживания влияет также и на ориентировку осей кристаллов льда. С понижением температуры кристаллы стремятся занять перпендикулярное положение относительно поверхности замерзания. [46]
В некоторых кристаллах электропроводность не одинакова по разным осям кристалла. Так, в кварце электропроводность в направлении, параллельном главной оси примерно в 1000 раз больше, чем в направлении, перпендикулярном этой оси, что видно из фиг. [47]
 |
Собственная и примесная составляющие удельной проводимости диэлектрика при различном содержании примеси, я - концентрация примеси. [48] |
В некоторых кристаллах проводимость не одинакова по разным осям кристалла. [49]
Срезы, при которых ребра пластины параллельны осям кристалла кзар-ца. Преимущественное распространение получили косые срезы, при которых ребра кварцевой пластины составляют с осями кристалла некоторый угол. В зависимости от этого угла различают несколько тнпов пластин с косыми срезами, отличающихся друг от друга температурными характеристиками. [50]
Часто наиболее холодная область не совпадает с осью кристалла, в этом случае двумерный зародыш может образоваться в стороре от центра поверхности. Понятно, что двумерные зародыши не могут возникнуть рядом, так как в направлении бокового роста зародышей выделяется тепло кристаллизации, и поэтому зона вокруг места возникновения зародыша обычно нагрета до более высокой температуры. Поэтому новые двумерные зародыши возникают несколько дальше. Симметрия в расположении зародышей ( рис. 26, з) является результатом удачного сочетания скорости вращения кристалла и такого местного переохлаждения, когда скорость бокового роста двумерного зародыша отстает от скорости вращения настолько, что на поверхности раздела за один оборот возникает переохлаждение, необходимое для образования нового двумерного зародыша. Этим же определяется и расстояние периферийных центров возникновения двумерных зародышей от центрального места возникновения двумерного центра кристаллизации. [51]
Кристаллические материалы анизотропны: в направлении, перпендикулярном оси кристалла, X примерно равно 4 - - 6, а в направлении оси доходит до 12 ккал / м час град. [52]
Это может быть любая плоскость, пересекающая три оси кристалла. Если предположить, что эта плоскость отсекает на осях отрезки, равные параметрам ячейки а, Ь, с, то любая другая плоскость кристалла описывается отрезками a / h, blk и ell, где h, k и / - небольшие целые числа, включая нули, называемые индексами плоскости. На рис. 2 показана параметрическая плоскость, отсекающая на осях отрезки а, Ь и с. Эти плоскости отсекают на координатных осях ячеек отрезки а / 1, Ь / 3, с / О. Миллеровские индексы серии плоскостей определяются путем деления отрезков, отсекаемых параметрической плоскостью, на отрезки, отсекаемые этими плоскостями. [53]
Протяженность стадии / упрочнения определяется возможной степенью поворота оси кристалла во время растяжения. Конец стадии / не отвечает совпадению оси растяжения с симметричной границей [001] - [111] на стереографическом треугольнике, поскольку практически еще до достижения этой точки вступают в действие другие системы скольжения, что существенно изменяет скорость упрочнения. [55]
Для среза, направленного произвольно по отношению к осям кристалла, постоянные должны быть пересчитаны путем преобразования координат. [57]
Страницы: 1 2 3 4