Легкая ось
Cтраница 1
 |
Схематическое изображение одноосно-анизотропной ферромагнитной пленки. [1] |
Легкая ось ( ЛО) - горизонтальна; трудная ось ( ТО) - вертикальна. Магнитное поле Н, приложенное под углом р к ЛО, вызывает отклонение намагниченности М ла угол фс от ЛО. [2]
При ориентации поля вдоль легких осей [100] и [010] кристалл намагничивается до насыщения только за счет процессов смещения доменных границ. [3]
Эти соотношения в антиферромагнетике легкая ось ( намагниченности подрешеток направлены по главной оси симметрии) и легкая Плоскость ( намагниченности перпендикулярны главной оси) приближенно можно записать в следующем виде. [4]
Для Я 0 существует легкая ось z намагничения, для Я О имеется легкая плоскость намагничения ху. [5]
Электромагнитное поле, приложенное перпендикулярно легкой оси анизотропии, вызывает вынужденные колебания намагниченности с правой и левой поляризацией от, причем при совпадении частоты приложенного поля с частотами прецессий возникает резонансное поглощение высокочастотной энергии. [6]
Рассмотрим поведение антиферромагнетика с анизотропией типа легкая ось в магнитном поле, пара-лельном легкой оси Z. Будем считать, что внешнее поле достаточно мало по сравнению с обменным полем НЕ, так что скосом подрешеток, который составляет приблизительно ( Н0 / НЕ), можно пренебречь. [7]
Из-за неполной локализации поля в направлении легкой оси к не зависящей от расстояния силе взаимодействия между зарядами добавляется еще экспоненциально затухающее с расстоянием слагаемое. [8]
При р 90 магнитное поле изменяет направление относительно легкой оси, и экваториальный эффект должен изменить знак. Соответствующая расчетная кривая для объемной намагниченности изображена пунктирной линией. Описанные эксперименты однозначно свидетельствуют о том, что на грани ( 100) слабого ферромагнетика с легкой плоскостью анизотропии появляется поверхностный одноосный слабый ферромагнетизм ортоферритного типа. Особенно четко это видно в случае вращения Н, когда прохождение внешнего магнитного поля через направление, перпендикулярное оси легкой анизотропии [011], приводит к перемагничиванию поверхностного слоя от 1 к - I вдоль этой оси. [9]
Как уже отмечалось выше, в пластинке с перпендикулярной легкой осью анизотропии при K / 2nIs 1 намагниченность в отдельных доменах ориентирована перпендикулярно поверхностям пластинки, вдоль легкой оси. При наложении внешнего магнитного поля, перпендикулярного поверхности пластинки, образец должен намагнититься до насыщения в одном направлении. При дальнейшем повышении величины поля существует область устойчивости ЦМД, в которой радиус сравнительно слабо зависит от величины поля, и, наконец, при достижении некоторого критического значения поля Hk домены необратимо коллапсируют за очень малый промежуток времени, определяемый подвижностью границы, и пластинка намагничивается до насыщения. [10]
Кроме указанного различия между ферро - и антиферромагнетиком типа легкая ось, из сравнения уравнений (11.43) и (11.46) для них непосредственно видно также, почему в первом случае закон дисперсии квадратичный, а во-втором - линейный. [11]
Это ясно уже из того, что состояние намагничения перпендикулярно легкой оси ( при Н0) само по себе неустойчиво и не является возможной фазой вещества. [12]
Это ясно уже из того, что состояние намагничения перпендикулярно легкой оси ( при Н 0) само по себе неустойчиво и не является возможной фазой вещества. [13]
Самая нижняя кривая соответствует случаю, когда магнитное поле направлено вдоль легкой оси. Данные получены на монокристаллических сферических образцах при частоте 24 - 10 Мгц. [15]
Страницы: 1 2 3 4