Легкая ось

Cтраница 2

Зависимости эффективного значения g - фактора и ширины резонансной кривой для случая ферромагнитного резонанса в гадолиниевом гранате вблизи Ткомп от температуры. Данные получены на поли кристаллическом сферическом образце при частоте 9479 Мец.| Значения эффективного g - фактора и поля.| Экспериментальные зависимости резонансного поля для случая обменного резонанса в гадолиниевом гранате вблизи точки магнитной компенсации ТКОмп.| Зависимость ширины линии ферромагнитного резонанса монокристалла иттриевого граната при различных частотах от температуры [ 1и4 ]. [16]

Самая нижняя кривая соответствует случаю, когда магнитное поле направлено вдоль легкой оси. Данные получены на монокристаллических сфер) ческих образцах при частоте 24 - Ю3 Мгц. [17]

Кроме того, экспериментально установлено, что погрешность в расположении легких осей отдельных элементов уменьшается, если прямоугольные элементы вытянуты вдоль тяжелой оси. [18]

Зависимость намагниченности образца от магнитного поля. [19]

В тех случаях, когда направление поля не совпадает с легкой осью, после завершения процессов смещения начинается процесс вращения намагниченности оставшихся доменов к направлению магнитного поля. [20]

Выражение вида (70.10), выведенное здесь для одноосного ферромагнетика ( типа легкая ось), справедливо и для кубических кристаллов. Это следует из того, что изменение энергии анизотропии при малых отклонениях вектора М от своего равновесного направления имеет в обоих случаях одинаковый вид. Отметим также, что в кубическом кристалле величина а ( п) сводится к постоянной. Для одноосного же ферромагнетика типа легкая плоскость ( К 0) ситуация иная: изменение 6UaH при отклонении М от MQ зависит как от полярного угла, так и от азимута направления М относительно MQ; поэтому этот случай требует особого рассмотрения - см. задачу. [21]

В ряде случаев, когда внешнее поле приложено под углом к легкой оси, разделить области, где преобладает смещение границ и вращение, практически невозможно, так как оба эти процесса протекают одновременно. [22]

Приспособление для ориентации осей резонаторов с ИЖГ сферой, прикрепленной к проволоке, . направленной вдоль одной легкой оси и к кварцевому стержню вдоль оси [ ПО ]. [23]

Таким образом, на данном этапе определяется и фиксируется одна из легких осей и обеспечивается возможность поворота сферы вокруг нее. [24]

В настоящее время применяются два вида цилиндрических элементов, отличающихся направлением легкой оси намагничивания. То или иное направление легкой оси создается соответствующей ориентацией магнитного поля в процессе изготовления пленок. [25]

В качестве примера рассмотрим колебания магнитных моментов для кристалла с анизотропией типа легкая ось и основного состояния, в котором намагниченности подрешеток Mj ориентированы вдоль кристаллографической оси. [26]

Нарушения аксиальной симметрии нет ( из-за невыгодности отклонения силовой линии от направления легкой оси) в одноосной УС с нормальной обкладкам легкой осью, к рассмотрению которой мы переходим. Поэтому теорема Гаусса для эквипотенциальной поверхности ограничивает сверху величиной Q / P не саму площадь этой поверхности, а лишь ее проекцию на плоскость тяжелой поляризации. Это ведет к локализации поля Е в пределах цилиндра радиуса TQ с осью по оси диполя, означая одновременно равенство нулю всех мультипольных электрических моментов полной ( внешней и индуцированной) плотности заряда. [27]

Зависимость намагнич енности монокристалла MnF2 от напряженности магнитного поля, ориентированного вдоль легкой оси ( 6 0 и отклоненного от нее на небольшие углы ( 8 равно 2 5 и 7 5. Т 4 2 К.| Опрокидывание подрешеток в одноосном антиферромагнетике в магнитном поле, параллельном легкой оси.| Магнитная фазовая диаграмма Мпр2 в магнитном поле, параллельном легкой оси. Экспериментальные точки получены с помощью измерения поглощения ультразвука в образце. спин-флоп фаза - состояние с опрокинутой конфигурацией моментов подрешеток (. [28]

На рис. 30.8 представлена магнитная фазовая диаграмма Мпр2 при поле, параллельном легкой оси. [29]

Для измерения коэрцитивной силы Не пленки ( или ее небольшого участка) вдоль легкой оси прикладывается переменное поле 7 / л ( 50 гц), причем легкая ось лежит в плоскости падения. & - После этого находится / / д Не, при котором изменение магнитного момента составляет 50 % от первоначального. [30]

Страницы: 1 2 3 4