Легкая ось

Cтраница 4

Если производить намагничивание пленки до насыщения по направлению этих двух осей, то для намагничивания по легкой оси потребуется значительно меньше энергии, чем при намагничивании по тяжелой. [46]

Практически перемагничивание пленок когерентным вращением осуществляется полями, параллельными плоскости пленки и направленными под углом к легкой оси. Пример элемента такой конструкции приведен на рис. 3 - 15, а, где направление Р - N соответствует направлению оси легкого намагничивания; проводник ( шина) / - разрядная шина, по которой подается записываемая информация ( нуль или единица); шина 2 - числовая шина, по которой подается управляющий сигнал на считывание или запись; шина 3 - выходная, с которой снимается считанная информация. [47]

Если величину амплитуды импульсов чтения выбрать так, чтобы при считывании единицы вектор намагниченности поворачивался относительно направления легкой оси на угол, меньший 90, то получим ЗУ без разрушения информации при считывании. [48]

Та же интенсивность света / 2 1 будет наблюдаться после анализатора, если оба слоя пленки будут намагничены вниз вдоль легкой оси. [49]

Что же касается упорядочения внутри конденсатора с закороченными обкладками, то оно ведет к появлению устойчивой однодоменной D-фазы, если легкая ось или легкая плоскость ортогональны обкладкам. [50]

Адгезионно-когезионный отрыв нефтяного пека, затвердевшего на поверхности. [51]

Образование магнитных доменов в феррит-гранатах происходит, когда на пленку, предварительно намагниченную до насыщения магнитным полем Н, приложенным вдоль легкой оси, подается импульс магнитного поля, обратного по направлению. [52]

Нарушения аксиальной симметрии нет ( из-за невыгодности отклонения силовой линии от направления легкой оси) в одноосной УС с нормальной обкладкам легкой осью, к рассмотрению которой мы переходим. Поэтому теорема Гаусса для эквипотенциальной поверхности ограничивает сверху величиной Q / P не саму площадь этой поверхности, а лишь ее проекцию на плоскость тяжелой поляризации. Это ведет к локализации поля Е в пределах цилиндра радиуса TQ с осью по оси диполя, означая одновременно равенство нулю всех мультипольных электрических моментов полной ( внешней и индуцированной) плотности заряда. [53]

Перейдем теперь к рассмотрению структур с цилиндрическими магнитными доменами ( ЦМД), Как уже отмечалось выше, в пластинке с перпендикулярной легкой осью анизотропии при / ( L / 2n / s 1 намагниченность в отдельных доменах ориентирована перпендикулярно поверхностям пластинки, вдоль легкой оси. При наложении внешнего магнитного поля, перпендикулярного поверхности пластинки, образец должен намагнититься до насыщения в одном направлении. При дальнейшем повышении величины поля существует область устойчивости ЦМД, в которой радиус сравнительно слабо зависит от величины поля, и, наконец, при достижении некоторого критического значения поля Hk домены необратимо коллапсируют за очень малый промежуток времени, определяемый подвижностью границы, и пластинка намагничивается до насыщения. [54]

Изменение средней намагниченности, наблюдающееся в слабых полях, обусловлено в основном изменением в соотношении объемов доменов, намагниченных в противоположных направлениях вдоль легкой оси ( для одноосного кристалла), путем смещения доменных границ. Обратимость этого процесса указывает на то, что граничный слой, находясь в положении равновесия, удерживается в нем квазиупругой силой. Пусть внешнее поле Я направлено параллельно границе. [55]

Запоминающий элемент с одновит-ковой числовой обмоткой. [56]

Элементы, в которых ось легкого намагничивания совпадает с осью цилиндра, получили название элементов р о д, а элементы, в которых легкая ось расположена по окружности цилиндра - элементов тористор. То или иное направление легкой оси создается соответствующей ориентацией магнитного поля в процессе изготовления пленок. [57]

Страницы: 1 2 3 4